公开(公告)号：CN101838835A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010135097.9

申请日：2010-03-30

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨修春 ,  邹骁 ,  陆伟 ,  刘艳 ,  李晓宁 ,  侯军伟

IPC: C25D11/12 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18

Abstract: 本发明公开了一种可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法，其阻挡层厚度为200-300nm，未被氧化的铝基体可直接作为电化学沉积电极，无须再进行去阻挡层和镀电极过程。其制备方法，包括：将铝箔进行退火以消除剪切铝箔过程所产生的应力；清洗退火后的铝箔去除其表面的污渍；去除铝箔上的自然氧化层；将铝箔电解抛光；将抛光后的铝箔进行一次阳极氧化；将一次氧化后的铝箔去除一次氧化膜；将去除一次氧化膜后的铝箔进行二次阳极氧化。本发明方法的模板制备成功率高，不易损坏；不仅简化了纳米线/有序多孔氧化铝复合材料的制备流程，还有利于该复合材料的性能研究。

公开(公告)号：CN101851771A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010199916.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨修春 ,  邹骁 ,  陆伟 ,  刘艳 ,  李晓宁 ,  侯军伟

IPC: C25D11/12 ,  C25D11/16

Abstract: 本发明公开了一种可直接用于电化学沉积的有序多孔氧化铝模板及制备方法，其阻挡层厚度为100-300nm，未被氧化的铝基体可直接作为电化学沉积电极，无须再进行去阻挡层和镀电极过程。其制备方法，包括：将铝箔进行退火以消除剪切铝箔过程所产生的应力；清洗退火后的铝箔去除其表面的污渍；去除铝箔上的自然氧化层；将铝箔电解抛光；将抛光后的铝箔进行一次阳极氧化；将一次氧化后的铝箔去除一次氧化膜；将去除一次氧化膜后的铝箔进行二次阳极氧化。本发明方法的模板制备成功率高，不易损坏；不仅简化了纳米线/有序多孔氧化铝复合材料的制备流程，还有利于该复合材料的性能研究。