公开(公告)号：CN111129312B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201911338893.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 同济大学

Inventor： 黄佳 ,  施谦谦 ,  刘大鹏

IPC: H10K30/20 ,  H10K30/65 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明提供一种双功能光敏‑光记忆有机晶体管，包括衬底、双层薄膜以及电极，设置于第二薄膜层的上表面，其中，双层薄膜为有机半导体‑光致变色材料双层薄膜，第一薄膜层为光致变色材料薄膜层，第二薄膜为有机半导体层材料薄膜层；还提供了制备方法，包括如下步骤：制作衬底；使用丙酮、异丙醇依次对衬底进行超声清洗，再用乙醇和去离子水冲洗，而后用氮气吹干衬底的表面，得到处理后的衬底；在处理后的衬底上旋涂二芳基乙烯DAE，得到第一膜层，再在第一薄膜层上蒸镀二萘并噻吩酮DNTT，得到第二膜层，从而得到双层薄膜；在第二薄膜层上沉积金属，从而得到电极，进而得到有机半导体‑光致变色双层薄膜的双功能光敏‑光记忆有机晶体管。

公开(公告)号：CN111129312A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911338893.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 同济大学

Inventor： 黄佳 ,  施谦谦 ,  刘大鹏

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种双功能光敏-光记忆有机晶体管，包括衬底、双层薄膜以及电极，设置于第二薄膜层的上表面，其中，双层薄膜为有机半导体-光致变色材料双层薄膜，第一薄膜层为光致变色材料薄膜层，第二薄膜为有机半导体层材料薄膜层；还提供了制备方法，包括如下步骤：制作衬底；使用丙酮、异丙醇依次对衬底进行超声清洗，再用乙醇和去离子水冲洗，而后用氮气吹干衬底的表面，得到处理后的衬底；在处理后的衬底上旋涂二芳基乙烯DAE，得到第一膜层，再在第一薄膜层上蒸镀二萘并噻吩酮DNTT，得到第二膜层，从而得到双层薄膜；在第二薄膜层上沉积金属，从而得到电极，进而得到有机半导体-光致变色双层薄膜的双功能光敏-光记忆有机晶体管。