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公开(公告)号：CN109852927A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910180279.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底和B4C薄膜其特征在于，所述基底和B4C薄膜间设置有金属层；所述的金属层的材料为活泼金属；该活泼金属优选为Ti、Ni、Al、Mg或MgAl合金中的一种；所述金属层的厚度小于100nm。与现有技术相比，本发明大大增强了B4C薄膜与铝基底间的黏附效果；解决B4C薄膜从铝基底上脱落的问题，具有制备简单，膜系结构简单，工艺成熟，可制备性强等优点。
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