-
公开(公告)号：CN115132396A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210840993.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法，一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面，多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层；多层中子薄膜自旋翻转元件的制备方法中，铁硅合金薄膜层及铬薄膜层的制备工艺都为磁控溅射，本发明主要以铁硅合金薄膜层为主，采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度，使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T，铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构，促进合理晶面的生长，抑制不需要晶面的生长。
-
公开(公告)号：CN218333153U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202221843317.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本实用新型提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件，包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面，多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层，本实用新型主要以铁硅合金薄膜层为主，采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度，使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T，铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构，促进合理晶面的生长，抑制不需要晶面的生长。
-
Search Results
2
records
(took 0.012 seconds)
