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公开(公告)号：CN105493318B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201480047231.6
申请日：2014-07-18
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 提供可降低电阻的活性物质复合粉体及其制造方法。活性物质复合粉体，其具有活性物质和附着于该活性物质表面的铌酸锂，且BET比表面积S[m2/g]为0.93＜S＜1.44；活性物质复合粉体的制造方法，其具有喷雾干燥工序，其中向活性物质喷雾含有铌的过氧化络合物和锂的溶液并与此并行地干燥所述溶液；和热处理工序，其中在该喷雾干燥工序之后进行热处理；热处理的温度为高于123℃且低于350℃。
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公开(公告)号：CN119497921A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202480002868.7
申请日：2024-04-17
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01M10/0585 , C01B25/45 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01M4/13 , H01M4/36 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 提供相对于固体电解质粉末含有0.7～5质量％的Li、8～60质量％的Nb、1.0～30质量％的P，余量中除了氧、即O以外的非氧余量的含量相对于固体电解质粉末为10质量％以下，且微晶直径为100nm以下的固体电解质粉末及其相关技术。
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公开(公告)号：CN102712494B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201080052468.5
申请日：2010-12-07
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01L31/0272 , C01G15/00
CPC classification number: C01G15/006 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01G3/006 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/2982
Abstract: 在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu?In?Ga?Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但其电阻值高，在太阳能电池用途等中无法得到令人满意的特性。将铜盐和铟盐的混合物、或铜和铟的复合氢氧化物、或铜和铟的复合氧化物中的任意一种以上、与硒或硒化合物、沸点为250℃以下的溶剂混合，生成混合溶剂，并以220℃～500℃的温度加热，得到含有Cu?In?Ga?Se、且平均粒径(DSEM)为80nm以下的低碳量的硫属化合物粉。利用硫属化合物粉的糊剂，得到含有Cu?In?Ga?Se且低电阻的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105144438A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022383.0
申请日：2014-05-06
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01M10/0562 , C01B25/45 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2300/0068 , H01M2300/0071
Abstract: 本发明提供固体电解质被覆正极活性物质粉末，该锂离子二次电池用正极活性物质的最外层表面附近存在的过渡金属量非常低。包含在由Li与过渡金属M的复合氧化物构成的锂离子二次电池用正极活性物质的粒子表面具有Li1+XAlXTi2-X(PO4)3、式中0≤X≤0.5表示的固体电解质的被覆层的粒子，以XPS在深度方向分析，从该被覆层的最外层表面至蚀刻深度1nm的Al、Ti、P的总原子数占Al、Ti、M、P的总原子数的平均比例在50％以上。上述过渡金属M，例如为Co、Ni、Mn的1种以上。
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公开(公告)号：CN102712494A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080052468.5
申请日：2010-12-07
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
IPC: C01G15/00
CPC classification number: C01G15/006 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01G3/006 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/2982
Abstract: 在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但其电阻值高，在太阳能电池用途等中无法得到令人满意的特性。将铜盐和铟盐的混合物、或铜和铟的复合氢氧化物、或铜和铟的复合氧化物中的任意一种以上、与硒或硒化合物、沸点为250℃以下的溶剂混合，生成混合溶剂，并以220℃～500℃的温度加热，得到含有Cu-In-Ga-Se、且平均粒径(DSEM)为80nm以下的低碳量的硫属化合物粉。利用硫属化合物粉的糊剂，得到含有Cu-In-Ga-Se且低电阻的薄膜。
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公开(公告)号：CN105144438B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201480022383.0
申请日：2014-05-06
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01M10/0562 , C01B25/45 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2300/0068 , H01M2300/0071
Abstract: 本发明提供固体电解质被覆正极活性物质粉末，该锂离子二次电池用正极活性物质的最外层表面附近存在的过渡金属量非常低。包含在由Li与过渡金属M的复合氧化物构成的锂离子二次电池用正极活性物质的粒子表面具有Li1+XAlXTi2‑X(PO4)3、式中0≤X≤0.5表示的固体电解质的被覆层的粒子，以XPS在深度方向分析，从该被覆层的最外层表面至蚀刻深度1nm的Al、Ti、P的总原子数占Al、Ti、M、P的总原子数的平均比例在50％以上。上述过渡金属M，例如为Co、Ni、Mn的1种以上。
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公开(公告)号：CN105493318A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047231.6
申请日：2014-07-18
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 同和控股(集团)有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 提供可降低电阻的活性物质复合粉体及其制造方法。活性物质复合粉体，其具有活性物质和附着于该活性物质表面的铌酸锂，且BET比表面积S[m2/g]为0.93＜S＜1.44；活性物质复合粉体的制造方法，其具有喷雾干燥工序，其中向活性物质喷雾含有铌的过氧化络合物和锂的溶液并与此并行地干燥所述溶液；和热处理工序，其中在该喷雾干燥工序之后进行热处理；热处理的温度为高于123℃且低于350℃。
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公开(公告)号：CN105405744A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510725230.9
申请日：2010-12-07
Applicant: 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: C01G15/006 , B82Y30/00 , C01B19/002 , C01G3/006 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/2982
Abstract: 本申请涉及硫属化合物粉和硫属化合物糊剂以及它们的制造方法。在得到硫属化合物的膜状结晶时，有形成由Cu、In、Ga构成的金属膜并进行Se化处理的方法，但该方法中膜的均匀性和生产率存在问题。利用以低成本得到含有Cu-In-Ga-Se的纳米颗粒的方法，可以得到均匀性高的硫属化合物的膜状结晶，但其电阻值高，在太阳能电池用途等中无法得到令人满意的特性。将铜盐和铟盐的混合物、或铜和铟的复合氢氧化物、或铜和铟的复合氧化物中的任意一种以上、与硒或硒化合物、沸点为250℃以下的溶剂混合，生成混合溶剂，并以220℃～500℃的温度加热，得到含有Cu-In-Ga-Se、且平均粒径(DSEM)为80nm以下的低碳量的硫属化合物粉。利用硫属化合物粉的糊剂，得到含有Cu-In-Ga-Se且低电阻的薄膜。
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