公开(公告)号：CN106410046A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201611136520.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈聪 ,  宋宏伟 ,  戴其林 ,  李昊龙 ,  金俊杰 ,  程禹

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开了一种含有疏水性电极修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于新型光伏太阳能电池领域，本发明所述的器件结构为从下到上依次为对电极金(Au)、空穴传输层(Spiro-OMeTAD)、疏水性电极修饰层(MPc)、钙钛矿活性层(CH3NH3PbI3)、电子传输层(TiO2)及FTO导电玻璃衬底；所述的疏水性电极修饰层为金属酞菁类化合物，在传统的FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au器件结构基础上，通过在钙钛矿光吸收层与空穴传输层中间，引入无表面官能团修饰的疏水型金属酞菁化合物薄膜作为电极修饰层，有效的阻挡空气中的水对钙钛矿材料的腐蚀，显著的改善钙钛矿太阳能电池器件的长时稳定性和光照稳定性，并具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN106410046B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201611136520.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈聪 ,  宋宏伟 ,  戴其林 ,  李昊龙 ,  金俊杰 ,  程禹

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种含有疏水性电极修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于新型光伏太阳能电池领域，本发明所述的器件结构为从下到上依次为对电极金(Au)、空穴传输层(Spiro‑OMeTAD)、疏水性电极修饰层(MPc)、钙钛矿活性层(CH3NH3PbI3)、电子传输层(TiO2)及FTO导电玻璃衬底；所述的疏水性电极修饰层为金属酞菁类化合物，在传统的FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro‑OMeTAD/Au器件结构基础上，通过在钙钛矿光吸收层与空穴传输层中间，引入无表面官能团修饰的疏水型金属酞菁化合物薄膜作为电极修饰层，有效的阻挡空气中的水对钙钛矿材料的腐蚀，显著的改善钙钛矿太阳能电池器件的长时稳定性和光照稳定性，并具有良好的应用前景。