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公开(公告)号：CN103643219A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310634396.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种以多孔钛为基体的掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，其特征在于所述钛基体为孔隙度为20～50%的多孔钛材料，采用热丝化学气相沉积设备，利用二阶硼浓度控制方式化学气相沉积制备多孔钛基BDD电极。该方法通过调节化学气相沉积过程不同阶段的硼源浓度来控制TiC的生成量，即在初始阶段利用高硼掺杂抑制TiC的形成，提高基底与薄膜的结合力，反应后期降低硼源浓度进行低硼掺杂。本发明制备的多孔钛基BDD电极金刚石晶粒均匀且致密，多孔钛基体被金刚石薄膜完整覆盖，具有良好的稳定性和较宽的电势窗口。
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