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公开(公告)号：CN118759639A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411060534.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种降低纳米晶晶体结构对称性实现聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法，属于宽带光通信技术领域，通过掺杂与基质晶格离子半径相差较大的其它离子，降低纳米晶中镧系发光中心离子周围晶体结构的对称性，增加不同晶体场格位，使掺杂在纳米晶中的镧系发光中心离子，其简并的4f能级发生J劈裂，实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽。本发明的有益之处在于可用一种发光中心离子掺杂的纳米晶实现该发光中心离子发光光谱展宽；并通过将此种纳米晶掺杂在聚合物基质中可制备出具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合增益介质；以此种复合物作为增益介质可实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽，实现宽带光放大。
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公开(公告)号：CN118759638A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411060530.5
申请日：2024-08-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种利用晶体场效应实现纳米晶掺杂的聚合物基光波导放大器增益带宽展宽的方法，属于宽带光通信技术领域，该方法利用纳米晶晶体场效应，选择晶体结构对称性低的材料作为基质，利用晶体场的J劈裂来实现纳米晶晶格中掺杂的镧系离子在光通信波段的能级跃迁发射光谱的展宽；通过将纳米晶复合在有机聚合物基质中制备在通信波段具有宽带发光的纳米晶‑聚合物有机无机复合物，作为光波导放大器的增益介质，进而实现掺杂纳米晶的聚合物基光波导放大器的工作带宽展宽，实现宽带光放大；并进一步可使纳米晶中掺杂的Er3+离子的发光半高全宽拓展超过120nm，发光覆盖了全部C+L波段，最终在纳米晶掺杂的聚合物波导放大器中获得了较高的L波段的相对增益；从而满足现代通信系统对波导放大器带宽的需求，并有望在光通信终端、数据传输以及各种光学传感器等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN116285887B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310297071.1
申请日：2023-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料及其应用，属于光学材料技术领域，所述吸光材料由一种基质材料及掺杂剂组成，并利用相应的激发光照射掺杂后的材料获得基于光诱导黑体吸收效应的吸光材料；其中，所述掺杂剂对所使用的激发光具有不小于0.1％的光吸收，掺杂剂的掺杂浓度范围为0.1mol％～80mol％。该材料与待加工的材料相结合后，通过诱导激光照射，待加工材料可以进入光致黑体吸收状态，此状态下的待加工材料在宽波段(200nm～2500nm)范围内的光吸收率可以达到90％以上。
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公开(公告)号：CN115406796B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211158791.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米材料合成中奥斯瓦尔德熟化发生的临界浓度的确定方法，属于奥斯瓦尔德熟化技术领域，本发明利用全自动纳米合成仪探索影响NaREF4纳米材料发生奥斯瓦尔德熟化过程的因素，确定奥斯瓦尔德熟化过程发生时反应体系的临界浓度(Cc)和控制奥斯瓦尔德熟化过程可进行实验操作的时间窗口，从而在纳米材料合成过程中，保证反应物浓度高于临界浓度，实现对奥斯瓦尔德熟化过程的控制，使纳米材料在尺寸连续性增加的同时仍然保持均匀的形貌。
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公开(公告)号：CN107703003B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201711104345.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种超高温原位双轴拉伸压缩疲劳测试平台，属于材料力学性能测试领域。双轴加载单元由四个电动缸实现双轴四个方向同步或异步驱动，完成复杂载荷应力作用下试验材料力学性能测试；超高温环境加载单元包括对开式中频感应高温炉、真空密封腔、水冷系统、真空控制系统等组成；信号检测控制单元包括力传感器、位移传感器、双比色红外测温仪、数字散斑、高速相机等。优点在于：结构新颖，可精确实现直线高频加载，载荷范围大，精确控温、可实时原位观测。为材料超高温力学行为和服役提供了有效的测试有手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116148977A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211555238.1
申请日：2022-12-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种面向(S+C+L)波段的聚合物基光波导放大器及其制备方法，属于聚合物光波导器件的制备技术领域，本发明通过制备掺杂Er3+/Tm3+这两种发光中心离子的稀土纳米粒子及惰性层，并调控Er3+/Tm3+掺杂位置及掺杂比例、调控生长阻隔层厚度等技术手段调谐纳米粒子超宽带发光光谱；然后利用上述稀土纳米粒子制备聚合物增益材料，增益介质半高全可达117nm，进而利用这类增益材料制备光波导放大器，使光波导放大器的工作波长范围从单一的S波段或(C+L)波段拓展至(S+C+L)波段，利用本方法制备的宽带聚合物光波导放大器，在1450nm‑1580nm波段均可获得光放大增益，且增益平坦，在1460nm‑1575nm波段的相对增益可达6‑8dB。
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公开(公告)号：CN111240274B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010040564.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 吉林大学
IPC: G05B19/416
Abstract: 本发明公开了一种在非圆形绕线系统中等线速绕线控制系统及其控制方法，属于工业控制技术领域，本发明在对非圆形光纤盘进行绕线时，非圆形光纤盘轮廓和表面分别会带动两个反射镜偏转进而导致CCD传感器上的两个光斑也发生偏移，通过微处理器对CCD传感器输出的电信号进行处理得到非圆形光纤盘的实时参数如各点线速度、所绕光纤层数、光纤盘偏转角度等，再利用微处理器对步进电机的驱动频率进行实时调控，从而以光学测量结合电子测控的方式对非圆形光纤盘的线速度进行控制，达到了非圆形光纤盘等线速绕线的目的。将该技术应用于光纤绕线机可实现非圆形光纤盘等线速度运动，进而实现了非圆形光纤盘上绕制的光纤分布均匀、张力恒定。
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公开(公告)号：CN111808604B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010685752.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种制备正交激发‑发射响应的三基色上转换发光材料的方法，属于真三维彩色显示、上转换发光和纳米核壳材料制备交叉技术领域。具体涉及该一核五壳层结构纳米晶是通过全自动纳米合成仪首先制备得到蓝光发射核，然后利用逐层包裹的方法依次诱导外延生长第一层惰性隔离层、第二层红光发射层、第三层惰性隔离层、第四层绿光发射层以及第五层808nm激发光能量吸收层。在1560nm、808nm或980nm三个不同波长近红外光激发下，该五壳层核壳结构纳米晶可以响应红、绿以及蓝三基色的正交上转换发光。该方法为全色发光调节、多色显示、多色编码及防伪等方面提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN111892843B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010685263.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种红绿蓝三基色正交上转换荧光安全墨水的制备方法，属于纳米光学防伪技术领域，该方法包括以下步骤：首先利用全自动纳米合成仪通过逐层包裹的方法制备出具有红绿蓝正交上转换发光的纳米颗粒，然后将得到的纳米颗粒进行表面处理获得水溶性的纳米颗粒，最后将水溶性的纳米颗粒按照一定比例加入到酸碱指示剂中，超声分散均匀即得该安全墨水。该方法制备的安全墨水可通过印刷、印章、喷墨打印以及手写等方式获得防伪图案，该安全墨水获得的图案具有三基色荧光显示、pH刺激响应性以及稳定性好等特点，可用于多级防伪的应用。
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公开(公告)号：CN111681532B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010685713.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种具有三基色正交上转换荧光特性的多级防伪材料及其应用，属于荧光防伪材料技术领域。本发明的防伪材料是由具有三基色正交上转换发光的五壳层核壳结构纳米颗粒和可消失墨水组成；五壳层核壳结构纳米颗粒由NaYF4主体基质掺杂敏化剂和激活剂构成。该防伪材料不仅可以在三个不同波长近红外光激发下产生相互独立的三基色上转换发光，而且在自然光下具有pH刺激响应的特性。本发明提供的防伪材料不仅拓展了正交发光纳米材料的应用范围，还解决了传统防伪材料存在的防伪技术单一、安全性低以及容易被复制的一些问题，增加了安全防伪的等级。本发明可用于机密信息的多级防伪。
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