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公开(公告)号:CN105931848A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610344545.3
申请日:2016-05-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2031
Abstract: 一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其在制备太阳能电池中的应用,属于太阳能电池技术领域。其是先通过水热反应在FTO上生长0.5~1.5μm的TiO2阵列得到FTO/TiO2薄膜,再对TiO2薄膜进行钝化处理;然后配制用于水热反应的Cu3BiS3敏化剂溶液,将FTO/TiO2薄膜的TiO2薄膜面朝下浸入到配制好的Cu3BiS3敏化剂溶液中进行水热反应,反应结束待反应体系冷却至室温后将FTO/TiO2薄膜取出,先用水冲洗干净,再用乙醇冲洗,然后氮气吹干,从而在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜。此方法制备Cu3BiS3和敏化FTO/TiO2薄膜样品同时进行,制备工艺简单,易于操作,且使Cu3BiS3在氧化物TiO2薄膜样品上的覆盖量更大,能充分吸收光产生光生电荷,使光电转化效率提高,适用于敏化类太阳能电池。
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公开(公告)号:CN113174610A
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202110459133.5
申请日:2021-04-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C25B11/077 , C25B11/087 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明提供了一种α/γ‑三氧化二铁薄膜电极及其制备方法和应用,属于光催化材料技术领域,包括:将前驱体溶液倒在基体表面进行第一次水热煅烧得到α‑三氧化二铁薄膜电极;再进行第二次水热煅烧得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极。本发明通过一次水热煅烧制备第一层α‑三氧化二铁薄膜,再进行二次水热煅烧制备第二层α‑三氧化二铁薄膜,同时第一层薄膜中的α‑三氧化二铁转化成γ‑三氧化二铁,新生成的α‑三氧化二铁薄膜覆盖在γ‑三氧化二铁表面,得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极,充分提高光阳极的光电催化活性,制备的α/γ‑三氧化二铁薄膜电极的光电流为≥0.5mA/cm2。
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公开(公告)号:CN108051630A
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201711296968.3
申请日:2017-12-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种电场或磁场诱导下测量半导体光电材料瞬态光电压的方法,属于半导体光电材料光生电荷测量技术领域。其是基于瞬态光电压测量系统完成的,该测试系统由数字示波器、Nd:YAG激光器、前置放大器和样品池构成,各组成单元间通过BNC数据线连接;样品池自上至下,由上电极、云母片、光电材料层和下电极组成,下电极接地。由锁相放大器为样品池提供电压(电场),由两片不同极性的钕铁硼强磁铁为样品池提供磁场。电压施加在上、下电极上,上、下电极间形成电场,光电材料样品处在电场中,通过施加不同强度的电压,测量不同电场下的瞬态光电压。两片磁铁N、S极相对放置在样品池左右两侧,磁场方向平行于电极平面,通过施加不同强度的磁场,实现磁场诱导的瞬态光电压测量。
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公开(公告)号:CN102701264A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210115223.3
申请日:2012-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明的一种Ag2S光电检测材料的合成方法属于无机化合物半导体材料制备的技术领域。将含硫化合物与硝酸银以摩尔比3~4∶1的比例混合并加入稳定剂溶于水中,以制成混合溶液,在160~180℃条件下反应4~6小时,经洗涤、离心、干燥得到Ag2S光电检测材料粉体。含硫化合物优选硫脲或硫代硫酸钠,稳定剂优选十二烷基硫酸钠或谷胱甘肽。本发明方法采用水热合成法、整个操作过程简单,重复性好,成本低;制备出的Ag2S具有良好的光电响应特性一一宽波段,强光电响应,并可以应用于光检测器中。
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公开(公告)号:CN101271138B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200810050702.5
申请日:2008-05-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的光电流和光电压测量池属于功能材料光电特性测量装置的技术领域。结构有池体(1),其侧面与导气管(2)连通;在池体(1)和池盖(3)之间装有真空胶垫(6);上电极(11)固定安装在池盖(3)中心的入光孔的下面并与高频插座(4)芯电极电连接,底电极(14)与高频插座(4)的外壳电连接;石英透镜(7)密封粘接在入光孔处;样品支架(10)下端有中心带孔的平板能使升降控杆(8)从孔中穿过、上端与底电极(14)固定相接,弹簧(9)安装在底电极(14)和样品支架(10)的平板之间。本发明装卸测试样品方便;能在真空下进行光电特性的测量;对被测样品无损伤、无污染,被测量的样品可回收。
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公开(公告)号:CN107621567B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201710819596.1
申请日:2017-09-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种半导体光电材料瞬态光电流测量系统,属于光电化学分解水测量技术领域。由Nd:YAG激光器、数字示波器、前置放大器、锁相放大器、样品池组成;样品池由聚四氟乙烯外壳、石英工作窗口、工作电极、参比电极、对电极和电解液组成;石英工作窗口设置在聚四氟乙烯外壳上,工作电极、对电极和参比电极呈斜三角形布置放入样品池并浸泡在电解液中。来自Nd:YAG激光器的激光透过石英工作窗口和电解液照射到工作电极的光电材料薄膜上,前置放大器捕捉工作电极和对电极间的光电流信号,将信号放大后输入到数字示波器,从而实现对半导体光电材料瞬态光电流的测量,光电流强度越强表明光电材料的分解水性能越强。
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公开(公告)号:CN107621567A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710819596.1
申请日:2017-09-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种半导体光电材料瞬态光电流测量系统,属于光电化学分解水测量技术领域。由Nd:YAG激光器、数字示波器、前置放大器、锁相放大器、样品池组成;样品池由聚四氟乙烯外壳、石英工作窗口、工作电极、参比电极、对电极和电解液组成;石英工作窗口设置在聚四氟乙烯外壳上,工作电极、对电极和参比电极呈斜三角形布置放入样品池并浸泡在电解液中。来自Nd:YAG激光器的激光透过石英工作窗口和电解液照射到工作电极的光电材料薄膜上,前置放大器捕捉工作电极和对电极间的光电流信号,将信号放大后输入到数字示波器,从而实现对半导体光电材料瞬态光电流的测量,光电流强度越强表明光电材料的分解水性能越强。
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公开(公告)号:CN104819938A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201510262078.5
申请日:2015-05-20
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法,属于半导体光电压测量的技术领域。是将待测样品置于ITO导电玻璃底电极上,用10~40μm厚的云母片覆盖待测样品,再在云母片上覆盖上电极;打开光源,使调制光与非调制光同时照射到待测样品上,待测样品底电极和上电极间产生的光电压信号经锁相放大器放大后,输入计算机,由计算机记录待测样品的光电压信号强度值,进而实现对待测样品表面光电压的测量。利用本发明检测结果,可以直接讨论半导体表面态对光生电荷的捕获作用,体相光生电荷的动力学迁移过程,以及全固态Z型半导体复合体系的光生电荷迁移行为。
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公开(公告)号:CN103011293A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201310002669.X
申请日:2013-01-05
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 本发明的一种三氧化钨的合成方法属于无机合成化学的技术领域,具体涉及一种三氧化钨的合成方法。本发明以二水合钨酸钠和氯化钠为原料,用盐酸调节反应体系的pH值,使pH值为1.5~3.0,于170~190℃水热反应22~28h,经洗涤、离心、干燥得到三氧化钨粉体。得到的三氧化钨粉体具有不同的形貌和不同的光电性质。本发明采用一步水热合成法,操作简单,重复性好,原料成本低,通过简单地调节pH值,即可得到不同形貌和性质的三氧化钨,并对有机染料具有较高的光催化降解效率。
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公开(公告)号:CN113174610B
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202110459133.5
申请日:2021-04-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C25B11/077 , C25B11/087 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明提供了一种α/γ‑三氧化二铁薄膜电极及其制备方法和应用,属于光催化材料技术领域,包括:将前驱体溶液倒在基体表面进行第一次水热煅烧得到α‑三氧化二铁薄膜电极;再进行第二次水热煅烧得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极。本发明通过一次水热煅烧制备第一层α‑三氧化二铁薄膜,再进行二次水热煅烧制备第二层α‑三氧化二铁薄膜,同时第一层薄膜中的α‑三氧化二铁转化成γ‑三氧化二铁,新生成的α‑三氧化二铁薄膜覆盖在γ‑三氧化二铁表面,得到α/γ‑三氧化二铁薄膜电极,充分提高光阳极的光电催化活性,制备的α/γ‑三氧化二铁薄膜电极的光电流为≥0.5mA/cm2。
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