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公开(公告)号：CN104819938A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510262078.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，属于半导体光电压测量的技术领域。是将待测样品置于ITO导电玻璃底电极上，用10～40μm厚的云母片覆盖待测样品，再在云母片上覆盖上电极；打开光源，使调制光与非调制光同时照射到待测样品上，待测样品底电极和上电极间产生的光电压信号经锁相放大器放大后，输入计算机，由计算机记录待测样品的光电压信号强度值，进而实现对待测样品表面光电压的测量。利用本发明检测结果，可以直接讨论半导体表面态对光生电荷的捕获作用，体相光生电荷的动力学迁移过程，以及全固态Z型半导体复合体系的光生电荷迁移行为。
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公开(公告)号：CN103570057B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310566597.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种硫化镉纳米材料的合成方法属于无机合成化学的技术领域。其步骤包括：将一定量的去离子水加热后加入1～1.5倍体积的浓盐酸，再加入一定量的硫化镉粉末，反应10秒钟再用去离子水稀释，密闭放置12小时后将所得沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤、干燥，得到CdS纳米材料。本发明不使用有机溶剂也不添加表面活性剂的条件下，通过调节CdS的加入量，HCl的加入量和反应温度制备出具有不同形貌和不同光电性质的CdS，操作简单，合成条件温和，生产成本低，制备的CdS具有较高的光催化分解水的活性。
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公开(公告)号：CN103570057A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310566597.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种硫化镉纳米材料的合成方法属于无机合成化学的技术领域。其步骤包括：将一定量的去离子水加热后加入1～1.5倍体积的浓盐酸，再加入一定量的硫化镉粉末，反应10秒钟再用去离子水稀释，密闭放置12小时后将所得沉淀物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤、干燥，得到CdS纳米材料。本发明不使用有机溶剂也不添加表面活性剂的条件下，通过调节CdS的加入量，HCl的加入量和反应温度制备出具有不同形貌和不同光电性质的CdS，操作简单，合成条件温和，生产成本低，制备的CdS具有较高的光催化分解水的活性。
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