公开(公告)号：CN102288844B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201110126216.9

申请日：2011-05-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  吴宝嘉 ,  李明 ,  任万彬 ,  苏宁宁 ,  王庆林 ,  李玉强 ,  张俊凯

IPC: G01N27/00 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。

公开(公告)号：CN102288844A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110126216.9

申请日：2011-05-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  吴宝嘉 ,  李明 ,  任万彬 ,  苏宁宁 ,  王庆林 ,  李玉强 ,  张俊凯

IPC: G01R31/00 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。