公开(公告)号：CN103076501B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310002867.6

申请日：2013-01-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  王庆林 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  彭刚 ,  吴宝嘉 ,  李玉强 ,  张俊凯 ,  吴雷

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明的金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法属于高压下电磁学测量的技术领域。首先对金刚石对顶砧进行组装：其中在两个金刚石压砧的砧面分别制作出圆形电极，复合绝缘垫片的样品腔内侧壁有绝缘层；其次进行测量：采用频率响应分析仪，得到在不同压力下的阻抗实部和阻抗虚部的关系图；最后进行数据处理：利用Zview软件和介电性质相关的电磁学量计算公式，得到不同压力下的相对介电常数εr、介电常数实部ε′、介电常数虚部ε″及损耗tanθ等。本发明保证了电极的形状和位置固定，同时考虑到边缘效应对测量结果影响给出修正；所制备的复合绝缘垫片保证了压腔内壁的完全绝缘，使得高压下原位精确测量物质的介电性质成为可能。

公开(公告)号：CN103076501A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310002867.6

申请日：2013-01-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  王庆林 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  彭刚 ,  吴宝嘉 ,  李玉强 ,  张俊凯 ,  吴雷

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明的金刚石对顶砧上原位介电性质的测量方法属于高压下电磁学测量的技术领域。首先对金刚石对顶砧进行组装：其中在两个金刚石压砧的砧面分别制作出圆形电极，复合绝缘垫片的样品腔内侧壁有绝缘层；其次进行测量：采用频率响应分析仪，得到在不同压力下的阻抗实部和阻抗虚部的关系图；最后进行数据处理：利用Zview软件和介电性质相关的电磁学量计算公式，得到不同压力下的相对介电常数εr、介电常数实部ε′、介电常数虚部ε″及损耗tanθ等。本发明保证了电极的形状和位置固定，同时考虑到边缘效应对测量结果影响给出修正；所制备的复合绝缘垫片保证了压腔内壁的完全绝缘，使得高压下原位精确测量物质的介电性质成为可能。

公开(公告)号：CN102288844B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201110126216.9

申请日：2011-05-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  吴宝嘉 ,  李明 ,  任万彬 ,  苏宁宁 ,  王庆林 ,  李玉强 ,  张俊凯

IPC: G01N27/00 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。

公开(公告)号：CN102288844A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110126216.9

申请日：2011-05-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高春晓 ,  刘才龙 ,  韩永昊 ,  吴宝嘉 ,  李明 ,  任万彬 ,  苏宁宁 ,  王庆林 ,  李玉强 ,  张俊凯

IPC: G01R31/00 ,  G01N27/00

Abstract: 本发明的在金刚石对顶砧上集成电极的方法属于高温高压装置的技术领域。本发明利用纳米引晶技术、薄膜沉积技术和离子束刻蚀技术，将掺硼金刚石电极制备到金刚石压砧上。所述的薄膜沉积，有用作电极的掺硼金刚石膜的沉积和制备过程中用作保护层的氧化铝膜的沉积。本发明采用氩离子束对整个金刚石压砧进行轰击，最后使设计的电极间绝缘带处的掺硼金刚石膜断开形成电极，避免了在高温条件下硼掺杂金刚石膜的选择性沉积造成的掩膜破裂使电极间导通的问题，提高在金刚石压砧上制备金刚石电极的成功率。