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公开(公告)号:CN105576992A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610005294.6
申请日:2016-01-06
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H02M5/4585 , H02M1/44
Abstract: 本发明涉及一种平顶维持和电流快速下降的电磁发射装置及控制方法,是由发电机经整流桥、DC/DC和发射桥路与发射线圈连接,快速关断控制器一端经馈能电感和DC/DC与控制及其保护电路连接,快速关断控制器另一端经高压钳位电容和发射桥路与发射及平顶维持控制器连接,快速关断控制器经开关管分别连接馈能电感和压钳位电容构成。与现有技术相比,能够大大提高发射桥路中IGBT关断过程的电感电流下降速度,缩短了关断时间,丰富了发射波形的频率成分,有利于探测浅层信号,提高探测的分辨率,同时降低发射电流上升沿对信号的干扰,并且发射电流大小可调。
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公开(公告)号:CN105375803A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510901046.5
申请日:2015-12-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H02M7/487
Abstract: 本发明涉及一种瞬变电磁法电性源五电平发射电路,是由控制及其保护电路经三项可控整流电路、DC/DC和五电平发射桥路与大地负载连接,五电平发射桥路经驱动及其保护电路、合成电路和分频电路与基准频率产生电路连接,合成电路分别与上升沿控制电路、下降沿控制电路、评顶控制电路和同步电路连接构成。电路中每个功率器件承受的最高电压为直流母线电压的四分之一,改进的五电平拓扑将钳位二极管的电压钳制在单个电平以内,解决了多电平输出钳位二极管反向恢复问题。电路中输出任何电平时都保持8个MOSFET管开启,8个OSFET管关断;相邻电平之间切换只切换2个MOSFET管,保证了良好的稳定性。与现有设备相比有较小的dv/dt,降低了绝缘冲击与电磁干扰。
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公开(公告)号:CN105490516B
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201510917176.8
申请日:2015-12-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明涉及一种ATEM发射机发射电流PWM噪声的去噪方法,利用小波变换对待去噪电压信号进行小波分解,并得到细节系数与尺度系数;应用Stein无偏似然估计阈值选取方法对采样波形的PWM噪声进行阈值选取;应用上一步骤所选取的阈值,对细节系数与尺度系数进行改进软硬阈值方法结合的去噪处理,然后重构得到不含噪的信号;输出不含噪的重构信号。用Stein无偏似然估计阈值选取方法和软硬阈值结合的处理方法进行小波系数处理,既保留了Stein无偏似然估计阈值选取方法保留的有效信号成分更多的优点,使用具有改进软硬结合阈值处理方法对阈值选取方法进行了补偿,采取两种方法结合的方式,最大限度的保留了原始信号,能使去噪效果更为明显。
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公开(公告)号:CN105490516A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510917176.8
申请日:2015-12-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明涉及一种ATEM发射机发射电流PWM噪声的去噪方法,利用小波变换对待去噪电压信号进行小波分解,并得到细节系数与尺度系数;应用Stein无偏似然估计阈值选取方法对采样波形的PWM噪声进行阈值选取;应用上一步骤所选取的阈值,对细节系数与尺度系数进行改进软硬阈值方法结合的去噪处理,然后重构得到不含噪的信号;输出不含噪的重构信号。用Stein无偏似然估计阈值选取方法和软硬阈值结合的处理方法进行小波系数处理,既保留了Stein无偏似然估计阈值选取方法保留的有效信号成分更多的优点,使用具有改进软硬结合阈值处理方法对阈值选取方法进行了补偿,采取两种方法结合的方式,最大限度的保留了原始信号,能使去噪效果更为明显。
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公开(公告)号:CN205212725U
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201521013662.9
申请日:2015-12-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H02M7/487
Abstract: 本实用新型涉及一种瞬变电磁法电性源五电平发射电路,是由控制及其保护电路经三项可控整流电路、DC/DC和五电平发射桥路与大地负载连接,五电平发射桥路经驱动及其保护电路、合成电路和分频电路与基准频率产生电路连接,合成电路分别与上升沿控制电路、下降沿控制电路、评顶控制电路和同步电路连接构成。电路中每个功率器件承受的最高电压为直流母线电压的四分之一,改进的五电平拓扑将钳位二极管的电压钳制在单个电平以内,解决了多电平输出钳位二极管反向恢复问题。电路中输出任何电平时都保持8个MOSFET管开启,8个OSFET管关断;相邻电平之间切换只切换2个MOSFET管,保证了良好的稳定性。与现有设备相比有较小的dv/dt,降低了绝缘冲击与电磁干扰。
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