公开(公告)号：CN118175903A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410011676.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 毕宴钢 ,  王渝娉 ,  银达 ,  冯晶

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60 ,  H10K71/00 ,  H10K10/46 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明公开了基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管及制备方法，属于生物电子技术领域，包括：玻璃衬底的预处理；采用真空热蒸镀系统蒸镀金属薄膜；使用飞秒激光烧蚀沟道；采用真空热蒸镀系统蒸镀三氧化钼；制备P3HT有机半导体层；配制离子凝胶，滴注在沟道顶部区域，干燥，得到所述基于激光烧蚀的微米级短沟道有机突触晶体管；本发明采用激光烧蚀的方法制备突触晶体管的沟道具有便捷、无需掩膜、成本低、加工效率高、可调控沟道长度等显著的优势，并且能实现低功耗，模拟和生物突触相似的能量消耗水平。有机突触晶体管与两端忆阻器相比，具有多端调节的优点，在人工神经元网络中具有更大的优势。