-
公开(公告)号：CN103936056B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410191167.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将制备的PH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物，再以制得的Cd3P2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶济，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3P2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
-
公开(公告)号：CN103936058B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410191162.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种硫化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种全新方法制备尺寸可调，单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源，用(TMS)2S作为硫源，合成一定尺寸的CdS半导体纳米簇，以此作为合成CdS量子点的反应前体，将配体与非配位型溶剂混合加热，注入制得的CdS纳米簇，得到CdS量子点。本发明的量子点合成方法具有创新性，并且操作简便，反应快速，可进行大量合成，制得的量子点尺寸可调控，具有优良的单分散性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN104017574B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410280647.4
申请日：2014-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米材料制备和医用材料技术领域，涉及一种用于磁共振成像的荧光量子点及其制备方法。量子点具体结构为Gd@ZnAgInS3，制备方法为，首先将醋酸银、醋酸锌、醋酸铟和氯化钆和油酸与十二烷基硫醇溶于十八烯中，升温至160～210℃，然后注入硫的油胺溶液，保持20分钟。本发明制备的量子点具有双功能，既可用作核磁共振成像造影剂，又有在可见到近红外波段可调的荧光性质，同时还具有低毒，高稳定性等特点，制备方法操作简单，绿色环保。
-
公开(公告)号：CN103936068B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410191155.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种砷化镉纳米簇的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种可用于大量制备砷化镉纳米簇的合成方法。本发明利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。
-
公开(公告)号：CN103936069B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410191161.3
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种砷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将制备的AsH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物，再以制得的Cd3As2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶剂，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3As2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103033494B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210571174.4
申请日：2012-12-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明的一种基于纳米磷化铟荧光探针的镉离子检测方法属于毒性元素检测的技术领域。利用InP荧光探针遇镉离子激发绿色荧光的原理，将InP荧光探针有机溶液直接加入到待测样品中，根据InP荧光探针有机溶液有无绿色荧光即可判断样品中是否含镉离子。本发明提供了一种操作方便、应用广泛、检测灵敏度高、选择性强的镉离子检测方法，能够检测到水相、有机相液体或滤液中的镉离子，检测出的最低镉离子浓度为1nmol/L。
-
公开(公告)号：CN103937495A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410191168.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉纳米簇的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种可用于大量制备磷化镉纳米簇的合成方法。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物。本发明制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。
-
公开(公告)号：CN103936056A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410191167.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明利用磷化物与无机酸反应制取PH3气体，并同时将制备的PH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3P2纳米簇化合物，再以制得的Cd3P2簇为反应前体，以有机胺为配体，以十八烯为溶济，在不同温度下以热注入的方法反应5～10分钟即可得到不同尺寸的Cd3P2量子点。本发明制备的量子点有着较好的近红外发光性质，有良好的单分散性，尺寸可调，光谱可调范围宽，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成。
-
公开(公告)号：CN103074068A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020597.1
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 本发明的一种核壳结构的热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的InP量子点，在核的基础上包覆II-VI族半导体ZnS隔离层，用来隔绝内外两层材料，再包覆另一种发绿光的II-VI族半导体CdSe纳米晶壳层，最外层仍然包覆ZnS保护层，以使CdSe层更为稳定，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，具体表现为不同温度条件下，该材料会发不同颜色的光：在常温下发绿光，在200摄氏度时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形。
-
公开(公告)号：CN103074058A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020598.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低毒性热敏量子点材料及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明以Cu掺杂的InP量子点为核，先包覆半导体材料ZnS隔离层，隔绝内外两层材料，再包覆半导体材料InP纳米晶壳层，最外层包覆ZnS保护层，最终形成结构为Cu@InP/ZnS/CdSe/ZnS的量子点。本发明的量子点对温度高度敏感，在常温下发绿光，在200℃时发红光，在中间温度时发不同程度的黄光，该量子点性质稳定，尺寸均一，分散性好，壳层包覆后粒子呈完美球形；由于本发明制备的是一种非镉的半导体材料，具有低毒性的优点，符合绿色化学的合成理念，对环境友好，应用性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.021 seconds)
