公开(公告)号：CN103198912B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310125735.2

申请日：2013-04-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王欣 ,  李会 ,  朱品文 ,  袁宝 ,  陶强

IPC: H01F1/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明的立方相钪锗氧化物的高温高压制备方法属于磁性材料制备的技术领域。以氧化钪、氧化锗为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得立方相钪锗氧化物；所述的高温高压合成，是在压力为5GPa、温度为1300～1500℃下保温保压15～60分钟，最后冷却卸压。本发明的方法完全是在无水无改良剂环境中进行的，从根本上避免不必要杂质的出现，所得的立方相钪锗氧化物纯度高；所采用的高温高压设备目前在国内被大量用来生产金刚石，其操作简单，可以较快地实施产业化，并且能得到高品质的立方相钪锗氧化物。

公开(公告)号：CN105016316A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510489779.2

申请日：2015-08-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王欣 ,  朱红玉 ,  宿太超 ,  朱品文 ,  李会 ,  赵永胜 ,  袁萍 ,  朱晶

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明提供一种直接制备四方相PbSe2化合物的方法，属于功能材料制备的技术领域。制备方法以Pb粉和Se粉为原料，有干法球磨、湿法球磨、制得粉末前驱物、高压合成的过程；具体的是将Pb粉和一半量Se粉混合，于充保护气体的球磨罐中以350～450转/分转速球磨1～2.5小时；加入剩余的Se粉和乙醇，在充保护气体的球磨罐中湿法球磨；产物干燥处理后制成块体进行高压合成，在3.8～5GPa、600～800℃下保温保压40min，得到四方相结构PbSe2化合物。本发明的制备方法成本低廉、制备周期短、工艺简单、节约能源、无需后继除杂工序得到的高纯度致密块体材料，因此适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN103198912A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310125735.2

申请日：2013-04-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王欣 ,  李会 ,  朱品文 ,  袁宝 ,  陶强

IPC: H01F1/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明的立方相钪锗氧化物的高温高压制备方法属于磁性材料制备的技术领域。以氧化钪、氧化锗为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得立方相钪锗氧化物；所述的高温高压合成，是在压力为5GPa、温度为1300～1500℃下保温保压15～60分钟，最后冷却卸压。本发明的方法完全是在无水无改良剂环境中进行的，从根本上避免不必要杂质的出现，所得的立方相钪锗氧化物纯度高；所采用的高温高压设备目前在国内被大量用来生产金刚石，其操作简单，可以较快地实施产业化，并且能得到高品质的立方相钪锗氧化物。

公开(公告)号：CN105016316B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510489779.2

申请日：2015-08-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王欣 ,  朱红玉 ,  宿太超 ,  朱品文 ,  李会 ,  赵永胜 ,  袁萍 ,  朱晶

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明提供一种直接制备四方相PbSe2化合物的方法，属于功能材料制备的技术领域。制备方法以Pb粉和Se粉为原料，有干法球磨、湿法球磨、制得粉末前驱物、高压合成的过程；具体的是将Pb粉和一半量Se粉混合，于充保护气体的球磨罐中以350～450转/分转速球磨1～2.5小时；加入剩余的Se粉和乙醇，在充保护气体的球磨罐中湿法球磨；产物干燥处理后制成块体进行高压合成，在3.8～5GPa、600～800℃下保温保压40min，得到四方相结构PbSe2化合物。本发明的制备方法成本低廉、制备周期短、工艺简单、节约能源、无需后继除杂工序得到的高纯度致密块体材料，因此适合大规模工业生产。