公开(公告)号：CN1069134C

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：CN96102646.4

申请日：1996-02-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 顾长志 ,  孙良彦 ,  张彤 ,  曹锡章

IPC: G01N27/12 ,  H01L29/02

Abstract: 本发明涉及一种检测NO2的LB膜修饰的悬栅场效应型气体传感器及制作方法。其结构为在悬栅场效应晶体管的包括栅区的整个表面拉制6～60nm厚的钴卟啉季胺盐或硫化酞菁铜或它们的衍生物的LB膜。制备过程为将悬栅场效应管的芯片在漂有LB膜的液体中拉过，使LB膜附于芯片表面，再在真空中干燥；反复拉膜干燥使LB膜达合适厚度，切割成单个芯片引AL电极。本发明的气体传感器灵敏度高、选择性好、响应迅速、一致性好，工艺简单，适合批量生产。

公开(公告)号：CN1147636A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96102646.4

申请日：1996-02-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 顾长志 ,  孙良彦 ,  张彤 ,  曹锡章

IPC: G01N27/12 ,  H01L29/02

Abstract: 本发明涉及一种检测NO2的LB膜修饰的悬栅场效应型气体传感器及制作方法。其结构为在悬栅场效应晶体管的包括栅区的整个表面拉制6～60nm厚的钴卟啉季胺盐或硫化酞菁铜或它们的衍生物的LB膜。制备过程为将悬栅场效应管的芯片在漂有LB膜的液体中拉过，使LB膜附于芯片表面，再在真空中干燥；反复拉膜干燥使LB膜达合适厚度，切割成单个芯片引AL电极。本发明的气体传感器灵敏度高、选择性好、响应迅速、一致性好，工艺简单，适合批量生产。