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公开(公告)号：CN116230748A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310379691.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/16 , H01L31/028 , H01L31/041 , H01L23/552
Abstract: 本发明属于半导体器件技术与核技术利用技术领域，公开了同位素30Si在提高半导体器件抗质子辐射、导电性中的应用，利用同位素30Si提高单晶硅半导体器件抗质子辐射能力和导电能力。且本发明通过将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件，且获得的30Si单晶硅半导体器件中，在质子能量处于10～20keV辐照下，单晶硅30Si产生的稳定点缺陷数比28Si低11％～14％，在室温300K下30Si的结合能比28Si略大，能带宽度有微弱的降低，证明将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件后，能够有效提高单晶硅半导体器件的抗辐射性能和导电性，进而能够延长在轨器件的使用寿命和性能。
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