公开(公告)号：CN111175898A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010077558.5

申请日：2020-01-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 衣云骥 ,  吕佳文 ,  曹悦 ,  林柏竹 ,  杨悦 ,  张永博 ,  张大明 ,  王菲

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 一种采用三维集成技术制备的垂直集成的二氧化硅-聚合物三维MZI波导热光开关及其制备方法，属于聚合物-二氧化硅光波导集成芯片制备技术领域。是在Si/SiO2衬底上沉积生长一层掺锗的高折射率SiO2层；然后制备第一掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层，得到以掺锗的SiO2为芯层的波导结构；去除掩模层后，继续生长SiO2层，作为下层波导的上包层和上层波导的下包层；再制备第二掩膜层，等离子体刻蚀SiO2层得到凹槽；旋涂PMMA层，旋涂后得到倒脊形的波导芯层；旋涂一层低折射率NOA系列光敏材料作为上包层；最后制备铝电极。本发明的MZI结构解决了现有垂直X结结构开关功耗大的问题，使开关的响应速度更快。