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公开(公告)号：CN115491648B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202211312975.9
申请日：2022-10-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光学功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种在固溶体材料中兼具多级反射状态和低相变压力的性能调控方法，该性能调控方法包括以下几个步骤：利用磁控溅射实现Sn对Ge的等浓度置换，制备出具有高反射对比度的非晶相固溶体材料，其化学结构式为Ge1‑xSnxTe；利用热退火促使该固溶体材料从非晶相完全转变为立方相；利用金刚石对顶砧对该固溶体材料进行加高压，促使该材料在静态高压环境中从立方相完全转变为正交相，该相变过程在维持较高平均反射率的前提下能产生多个级别反射状态。在相对较低的压力环境下，本发明所提供的性能调控方法在8‑12um波段内能产生接近58％的高反射对比度；本发明对Ge1‑xSnxTe固溶体材料的性能调控方法有利于非易性光子存储器的发展。
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公开(公告)号：CN114047565B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111284045.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光学功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种具有超高红外透射调制性能的相变材料及其制备方法，该相变材料是具有Sn置换Ge固溶体的菱方相Ge‑Sn‑Te薄膜材料，所述薄膜材料的化学结构式为Ge1‑xSnxTe，其中x＝0.05‑0.3；制备方法采用纯GeTe靶和纯SnTe靶两靶磁控共溅射而成，具体包括以下步骤：将两靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，采用半导体为衬底；抽真空，通入高纯Ar气；控制两靶材的溅射功率，在基底上沉积得到的薄膜材料即为Ge‑Sn‑Te薄膜材料。本发明设计科学合理，制备的相变材料在红外波段不但具有低的结晶态透射率和高的非晶态透射率，还具有超高的红外透射调制性能，有望在红外激光防护及伪装型防激光窗口等领域使用。
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公开(公告)号：CN114047565A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111284045.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光学功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种具有超高红外透射调制性能的相变材料及其制备方法，该相变材料是具有Sn置换Ge固溶体的菱方相Ge‑Sn‑Te薄膜材料，所述薄膜材料的化学结构式为Ge1‑xSnxTe，其中x＝0.05‑0.3；制备方法采用纯GeTe靶和纯SnTe靶两靶磁控共溅射而成，具体包括以下步骤：将两靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，采用半导体为衬底；抽真空，通入高纯Ar气；控制两靶材的溅射功率，在基底上沉积得到的薄膜材料即为Ge‑Sn‑Te薄膜材料。本发明设计科学合理，制备的相变材料在红外波段不但具有低的结晶态透射率和高的非晶态透射率，还具有超高的红外透射调制性能，有望在红外激光防护及伪装型防激光窗口等领域使用。
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公开(公告)号：CN115491648A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211312975.9
申请日：2022-10-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光学功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种在固溶体材料中兼具多级反射状态和低相变压力的性能调控方法，该性能调控方法包括以下几个步骤：利用磁控溅射实现Sn对Ge的等浓度置换，制备出具有高反射对比度的非晶相固溶体材料，其化学结构式为Ge1‑xSnxTe；利用热退火促使该固溶体材料从非晶相完全转变为立方相；利用金刚石对顶砧对该固溶体材料进行加高压，促使该材料在静态高压环境中从立方相完全转变为正交相，该相变过程在维持较高平均反射率的前提下能产生多个级别反射状态。在相对较低的压力环境下，本发明所提供的性能调控方法在8‑12um波段内能产生接近58％的高反射对比度；本发明对Ge1‑xSnxTe固溶体材料的性能调控方法有利于非易性光子存储器的发展。
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