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公开(公告)号:CN116234332A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202310070885.1
申请日:2023-02-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于碘化铵修饰双层SnO2电子传输层和丙酮掺杂碘化铅前驱体的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、碘化铵修饰双层SnO2电子传输层、丙酮掺杂碘化铅前驱体钙钛矿活性层、苯乙基碘化铵表面钝化层、spiro‑OMeTAD空穴传输层和银电极组成。本发明中利用碘化铵修饰双层SnO2电子传输层,促进电子的提取和传输,抑制了电荷在界面处积累而导致的迟滞现象,增强导电性。此外,本发明将介电常数低的丙酮掺杂在碘化铅前驱体溶液中,使碘化铅薄膜出现丰富的孔洞,减少了钙钛矿层的缺陷密度,形成高质量薄膜,实现了稳定且良好的载流子传输,进而提升了钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号:CN115884605A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202310049495.6
申请日:2023-02-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具备控温功能的半透明有机太阳能电池及其制备方法,属于半导体有机太阳能电池技术领域。由ITO玻璃衬底、PEDOT:PSS空穴传输层、PM6:Y6:PCB71M:Au NPs光电转换层、PNDIT‑F3N电子传输层和Cr/Ag复合电极组成。本发明引入铬作为种子层改变金属银在器件表面的浸润性,诱导银岛由纵向生长变为横向生长,更容易生成连续的金属薄膜,这样既保证了金属薄膜的良好透光性又提高其导电性能,降低了方阻。并且Cr/Ag复合电极的使用会形成布拉格反射器反射近红外范围内的光,使原本透过光电转换层的部分光线反射回去被再一次吸收利用,进而增加了电池转换效率并能够实现控制器件温度的作用。
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公开(公告)号:CN113130765B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202110393474.7
申请日:2021-04-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于无机CsPbI2Br粉末的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于光电材料和光电器件技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、ZnO电子传输层、CsPbI2Br无机钙钛矿光活性层、Spiro‑OMeTAD空穴传输层、Au电极构成。本发明通过预先合成无机CsPbI2Br钙钛矿粉末能够解决化学计量比偏差和非钙钛矿杂质引入等问题,可以改善钙钛矿薄膜结晶性并提高相稳定性,避免单一前驱组分过量或杂质引入造成的钙钛矿相不稳定问题,从而提高钙钛矿太阳能电池的效率和长期稳定性。将该无机CsPbI2Br材料应用于钙钛矿电池领域,有助于高效、稳定和可重复器件的制备。实验结果表明,经过60天的暗态存储,实施例制备的钙钛矿太阳能电池能够保持初始效率的86.1%以上。
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公开(公告)号:CN110550655A
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201910990899.9
申请日:2019-10-18
Applicant: 吉林大学 , 吉林省润臻分离技术有限公司
IPC: C01G23/047 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的一种制备灰色锐钛矿相二氧化钛纳米粒子的方法属于无机材料制备的技术领域,制备过程是,将锐钛矿相二氧化钛纳米粒子分散在水中,得到锐钛矿相的二氧化钛纳米粒子分散液,然后将此分散液在液体循环装置中进行机械循环1~3h后得到蓝灰色二氧化钛纳米粒子分散液,干燥后得到固体灰色锐钛矿相二氧化钛纳米粒子。本发明工艺简单,成本低,便于工业化生产灰色二氧化钛,在制备过程中无需任何染料添加剂,无需高温高压氢化处理,经济环保,且安全节能。
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公开(公告)号:CN107768521A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710981712.X
申请日:2017-10-20
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的CH3NH3PbI3钙钛矿光电器件及其制备方法,属于光电探测技术领域。从下至上,依次由具有ITO导电薄膜的玻璃衬底、PEDOT-PSS空穴传输层、CH3NH3PbI3钙钛矿感光薄膜、PCBM电子萃取层、PCBM:F4-TCNQ混合材料电子俘获层、BCP修饰层、Au电极构成。钙钛矿感光层吸光后产生的光生电子流向器件阴极,并被F4-TCNQ提供的深电子陷阱所束缚,导致阴极附近的PCBM能级向下弯曲,并在PCBM中形成空穴势垒尖峰,阴极空穴在较小的反向偏压下可以隧穿通过该势垒尖峰并注入器件,最终形成空穴增益,大幅提高探测器的光电流密度。
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公开(公告)号:CN117998946A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410168947.7
申请日:2024-02-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于2‑氨乙基甲砜盐酸掺杂前驱体的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。器件由FTO导电玻璃衬底、TiO2电子传输层、2‑氨乙基甲砜盐酸盐啊掺杂的钙钛矿活性层、spiro‑OMeTAD空穴传输层和Ag电极组成。本发明将2‑氨乙基甲砜盐酸盐掺杂到钙钛矿前驱体溶液中,利用2‑氨乙基甲砜盐酸盐与前驱体溶液中的铅离子的路易斯酸碱作用和碘离子的氢键作用调控CsPbI3结晶过程,增加中间相和最终成膜的晶粒尺寸和结晶度。同时,退火后2‑氨乙基甲砜盐酸盐会留在膜内钝化缺陷,以起到减少缺陷态密度,改善载流子传输的作用,从而提升了钙钛矿太阳能电池器件的性能。
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公开(公告)号:CN114824119A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210623748.1
申请日:2022-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于三元官能团协同增强界面钝化的钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于钙钛矿发光二极管技术领域。从下至上依次由ITO导电玻璃衬底、氧化锌纳米粒子电子传输层、乙氧基聚乙烯亚胺电子修饰层、钙钛矿层、5‑氨基戊酸‑三氟乙酸盐钙钛矿钝化层、聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)空穴传输层、三氧化钼电极修饰层和Au电极组成。本发明利用5‑氨基戊酸的‑NH3+和三氟乙酸的‑O‑分别钝化FA空位和I空位,5‑氨基戊酸的官能团‑OH能与FA+形成H‑O…H‑N键,抑制FA+的迁移和热挥发,降低缺陷态密度,抑制非辐射复合并且提高载流子传输,进而提高钙钛矿发光二极管的性能和稳定性。
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公开(公告)号:CN108767117B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201810579055.0
申请日:2018-06-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于碳量子点掺杂反溶剂钝化晶界缺陷的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。由ITO导电玻璃衬底、PEDOT:PSS空穴传输层、碳量子点掺杂反溶剂钙钛矿活性层、C60/BCP复合电子传输层、Ag阳极组成,且在钙钛矿活性层的制备过程中滴加碳量子点掺杂的甲苯反溶剂。本发明通过水热方法合成环保型碳量子点材料,将该碳量子点材料掺杂进入甲苯反溶剂中,在钙钛矿活性层旋涂生长过程中,利用反溶剂清洗在钙钛矿薄膜内引入一定量的碳量子点材料,利用碳量子点钝化晶界缺陷,消除薄膜内离子运输,进而消除光浸润现象。同时,利用碳量子点材料高的导电性提高钙钛矿薄膜导电能力,提高载流子传输,进而提高器件性能。
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公开(公告)号:CN108767117A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810579055.0
申请日:2018-06-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于碳量子点掺杂反溶剂钝化晶界缺陷的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。由ITO导电玻璃衬底、PEDOT:PSS空穴传输层、碳量子点掺杂反溶剂钙钛矿活性层、C60/BCP复合电子传输层、Ag阳极组成,且在钙钛矿活性层的制备过程中滴加碳量子点掺杂的甲苯反溶剂。本发明通过水热方法合成环保型碳量子点材料,将该碳量子点材料掺杂进入甲苯反溶剂中,在钙钛矿活性层旋涂生长过程中,利用反溶剂清洗在钙钛矿薄膜内引入一定量的碳量子点材料,利用碳量子点钝化晶界缺陷,消除薄膜内离子运输,进而消除光浸润现象。同时,利用碳量子点材料高的导电性提高钙钛矿薄膜导电能力,提高载流子传输,进而提高器件性能。
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公开(公告)号:CN105047821A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510296545.6
申请日:2015-06-02
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/441 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。本发明所述的器件结构是典型的反型结构。首先,对于二氧化钛电子传输层进行紫外处理和羟基化处理,然后进行聚乙烯亚胺修饰;其次,对于活性层进行无机量子点掺杂,来进一步调节给受体之间的能级,增强载流子的传输;最后,空穴传输层采用水溶性的三氧化钼,并且进行金纳米粒子的掺杂,水溶液旋涂相比于蒸镀法有利于节约能源,金纳米粒子的掺入所产生的表面等离激元共振效应能够将光反射回活性层从而被进一步利用,同时也将有助于电荷在传输层中的传输。三者的同时应用将使载流子的传输更加顺利,达到一个更加平衡的电子‐空穴的迁移速率。
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