-
公开(公告)号:CN118197534B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410591254.9
申请日:2024-05-14
Applicant: 吉林大学
Inventor: 刘国华
IPC: G16H20/10 , G06F18/214 , G06F18/22 , G06F18/24 , G06F40/284 , G06F40/30
Abstract: 本发明公开一种用于移动查房的辅助系统及其方法,涉及移动查房技术领域。该方法包括:基于患者信息,提取医嘱信息;对所述医嘱信息进行语义编码以得到医嘱信息语义编码特征向量;对药品信息进行语义编码以得到药品信息语义编码特征向量;对所述医嘱信息语义编码特征向量和所述药品信息语义编码特征向量进行基于语义特征值粒度的交互匹配分析以得到医嘱信息‑药品信息语义特征值粒度交互匹配特征;基于所述医嘱信息‑药品信息语义特征值粒度交互匹配特征,确定是否生成药品错误预警提示。这样,可以及时判断是否发生了用错药的情况,从而在用错药时及时发出药品错误预警,以确保用药安全。
-
公开(公告)号:CN103268897A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310210273.4
申请日:2013-05-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法,属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH4)2S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于:首先采用溶胶凝胶法制备TiO2等薄膜层,然后将制备好的薄膜进行硫化铵溶液钝化处理,最后采用光刻、磁控溅射、刻蚀等工艺制备金属叉指电极,从而得到紫外探测器。经过硫化铵溶液钝化处理的TiO2等薄膜表面态密度减小,溅射金属叉指电极后TiO2与金属接触的肖特基势垒降低,改善了光电流和响应时间;另一方面表面电荷的减少抑制了表面漏电流,改善了暗电流,最终提高了器件的整体性能。
-
公开(公告)号:CN118197534A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410591254.9
申请日:2024-05-14
Applicant: 吉林大学
Inventor: 刘国华
IPC: G16H20/10 , G06F18/214 , G06F18/22 , G06F18/24 , G06F40/284 , G06F40/30
Abstract: 本发明公开一种用于移动查房的辅助系统及其方法,涉及移动查房技术领域。该方法包括:基于患者信息,提取医嘱信息;对所述医嘱信息进行语义编码以得到医嘱信息语义编码特征向量;对药品信息进行语义编码以得到药品信息语义编码特征向量;对所述医嘱信息语义编码特征向量和所述药品信息语义编码特征向量进行基于语义特征值粒度的交互匹配分析以得到医嘱信息‑药品信息语义特征值粒度交互匹配特征;基于所述医嘱信息‑药品信息语义特征值粒度交互匹配特征,确定是否生成药品错误预警提示。这样,可以及时判断是否发生了用错药的情况,从而在用错药时及时发出药品错误预警,以确保用药安全。
-
公开(公告)号:CN103887361B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201410151399.3
申请日:2014-04-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法,属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于:探测器具有贵金属掺杂的TiO2薄膜层和纯TiO2薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂,基体材料具有更低的费米能级,降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度;另一方面,贵金属掺杂的TiO2薄膜层与TiO2层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反,同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。
-
公开(公告)号:CN103268897B
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201310210273.4
申请日:2013-05-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法,属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH4)2S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于:首先采用溶胶凝胶法制备TiO2等薄膜层,然后将制备好的薄膜进行硫化铵溶液钝化处理,最后采用光刻、磁控溅射、刻蚀等工艺制备金属叉指电极,从而得到紫外探测器。经过硫化铵溶液钝化处理的TiO2等薄膜表面态密度减小,溅射金属叉指电极后TiO2与金属接触的肖特基势垒降低,改善了光电流和响应时间;另一方面表面电荷的减少抑制了表面漏电流,改善了暗电流,最终提高了器件的整体性能。
-
公开(公告)号:CN103887361A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410151399.3
申请日:2014-04-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/103 , H01L31/022408 , H01L31/0321 , H01L31/18
Abstract: 具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法,属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于:探测器具有贵金属掺杂的TiO2薄膜层和纯TiO2薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂,基体材料具有更低的费米能级,降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度;另一方面,贵金属掺杂的TiO2薄膜层与TiO2层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反,同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。
-
-
-
-
-