公开(公告)号：CN116632001B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310904287.X

申请日：2023-07-24

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 伊藤真浩 ,  熊谷裕弘

IPC分类号： H01L27/02 ,  H10N97/00 ,  H01L23/552 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F115/06

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，属于半导体技术领域，且所述半导体装置包括：MOM电容，所述MOM电容包括多个第一电极和多个第二电极，且所述第一电极和所述第二电极在第一方向上交替设置，所述第一电极或所述第二电极在第二方向上层叠设置；第一屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM电容的一侧，且所述第一屏蔽部与所述MOM电容之间的区域内电绝缘；以及第二屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM电容的另一侧，且所述第二屏蔽部与所述MOM电容之间的区域内电绝缘。通过本发明提供的一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，可提高电路设计的自由度，减小半导体装置的体积。

公开(公告)号：CN116632001A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310904287.X

申请日：2023-07-24

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 伊藤真浩 ,  熊谷裕弘

IPC分类号： H01L27/02 ,  H10N97/00 ,  H01L23/552 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F115/06

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，属于半导体技术领域，且所述半导体装置包括：MOM电容，所述MOM电容包括多个第一电极和多个第二电极，且所述第一电极和所述第二电极在第一方向上交替设置，所述第一电极或所述第二电极在第二方向上层叠设置；第一屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM电容的一侧，且所述第一屏蔽部与所述MOM电容之间的区域内电绝缘；以及第二屏蔽部，在第二方向上位于所述MOM电容的另一侧，且所述第二屏蔽部与所述MOM电容之间的区域内电绝缘。通过本发明提供的一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，可提高电路设计的自由度，减小半导体装置的体积。