一种气相酸化g-C3N4纳米片及其制备方法

    公开(公告)号:CN110420656A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910745447.4

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 本发明涉及纳米材料和光催化析氢技术领域,具体涉及一种气相酸化的g-C3N4纳米片的制备方法,包括以下步骤:含氮有机原料通过高温煅烧获得g-C3N4粗粉;将g-C3N4粗粉置于管式炉内,将氮气按固定的流速通过酸性溶液,再将氮气通入管式炉中,加热保温一定时间后制备出g-C3N4纳米片。本发明的g-C3N4纳米片是利用挥发性酸的强氧化性对g-C3N4粗粉进行高温气相剥离获得。相比较其它方法制备的g-C3N4纳米片,高温酸性气氛下获得的g-C3N4纳米片尺寸更小,比表面积的增大,能够提高g-C3N4纳米片在可见光照射下的光催化性能,可有效应用于光催化析氢技术领域。

    凹凸棒石负载准一维二氧化钛复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN103551136A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310449740.9

    申请日:2013-09-24

    Abstract: 本发明涉及纳米材料和光催化技术领域,具体是一种凹凸棒石负载准一维二氧化钛复合光催化剂及其制备方法。该复合光催化剂的载体为凹凸棒石,凹凸棒石的表面均匀分布有呈松针形貌的纳米级二氧化钛颗粒。制备方法包括纳米二氧化钛的水解沉淀负载及后续热处理过程。本发明采用水解沉淀负载法制备,以凹凸棒石为载体将准一维纳米TiO2颗粒固定在其表面上形成稳定的TiO2/凹凸棒石光催化剂。准一维松针状形貌的纳米级TiO2颗粒均匀地分布在凹凸棒石表面上,避免了TiO2颗粒的团聚,不会出现因团聚效应引起的TiO2光催化剂比表面积的减小和光催化性能下降的问题。同时,在不需要额外的设备和能量消耗的前提下,即可实现光催化剂的回收和重复使用。

    凹凸棒石镀镍复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102295473B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201110155619.6

    申请日:2011-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种凹凸棒石镀镍复合材料及其制备方法,其中凹凸棒石镀镍复合材料是以凹凸棒石为基体,凹凸棒石表面镀覆镍层;其制备方法是配制浓度10-50g/L的凹凸棒石去离子水悬浮液,在超声或搅拌条件下依次经表面活性剂十二烷基苯磺酸钠、敏化液、活化液、还原剂和表面活性剂十二烷基苯磺酸钠处理后再于35-60℃下恒温施镀20-50分钟,施镀完成后离心、洗涤、干燥后即得凹凸棒石镀镍复合材料。本发明为纳米矿物材料在高新技术领域的应用开辟一条新的途径,为吸波材料的研制提出一个崭新的方向,从而能够使凹凸棒石带来更多的潜在应用。

    一种(Ce,Nd)-Fe-B磁体表面环氧改性有机硅树脂复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN118772780A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410996833.1

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种(Ce,Nd)‑Fe‑B磁体表面环氧改性有机硅树脂复合涂层的制备方法,包括以下制备方法:步骤S1:环氧改性有机硅树脂的制备;更为具体的是:将双酚A型环氧树脂经过处理,然后得到环氧改性有机硅树脂;步骤S2:电泳液配置;更为具体的是:将色浆、混合树脂和去离子水混合配制为电泳液;步骤S3:电泳前处理;更为具体的是:将(Ce,Nd)‑Fe‑B磁体进行酸洗活化处理。本发明制备环氧改性有机硅树脂方法简单,反应环境容易实现,改善了环氧树脂和有机硅树脂相容性差的特点,且全反应过程绿色环保。本发明利用水性环氧乳液与甲基苯基机硅树脂进行反应,获得的混合树脂可与电泳浆料和水制备成电泳液,通过阴极电泳沉积法在铈钕铁硼磁体表面制备涂层。

    一种制备三维互穿结构3D-SiC/Al复合材料的方法

    公开(公告)号:CN105921721B

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201610418417.9

    申请日:2016-06-13

    Abstract: 本发明涉及一种制备三维互穿结构3D‑SiC/Al复合材料的方法,包括3D‑SiC预制件制备及后续无压熔渗制备3D‑SiC/Al复合材料过程。其中,3D‑SiC预制件应用在后续的无压熔渗3D‑SiC/A复合材料时,根据所用的铝合金成分可对其进行或不进行氧化预处理。本发明的复合材料中SiC含量在50~73vol%,复合材料的密度可达2.90~3.1g/cm2,热导率达到232W/(m·℃),热膨胀系数低至5.72×10‑6/℃,抗弯强度可达330MPa,综合性能满足电子封装材料必须具有的低膨胀系数、高热导率和足够的抗弯强度等技术性能要求。

    凹凸棒石负载准一维二氧化钛复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN103551136B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310449740.9

    申请日:2013-09-24

    Abstract: 本发明涉及纳米材料和光催化技术领域,具体是一种凹凸棒石负载准一维二氧化钛复合光催化剂及其制备方法。该复合光催化剂的载体为凹凸棒石,凹凸棒石的表面均匀分布有呈松针形貌的纳米级二氧化钛颗粒。制备方法包括纳米二氧化钛的水解沉淀负载及后续热处理过程。本发明采用水解沉淀负载法制备,以凹凸棒石为载体将准一维纳米TiO2颗粒固定在其表面上形成稳定的TiO2/凹凸棒石光催化剂。准一维松针状形貌的纳米级TiO2颗粒均匀地分布在凹凸棒石表面上,避免了TiO2颗粒的团聚,不会出现因团聚效应引起的TiO2光催化剂比表面积的减小和光催化性能下降的问题。同时,在不需要额外的设备和能量消耗的前提下,即可实现光催化剂的回收和重复使用。

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