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公开(公告)号：CN117604626A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311604146.2
申请日：2023-11-28
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于MPCVD法生产渐变粉色单晶金刚石的方法，直接在生长过程中调整氮气的掺杂来控制金刚石各层面氮浓度，无需多次从腔体内拿出生长后的金刚石进行加工，后续直接在同一条件下进行辐照和退火处理，操作简单，还可以有效避免金刚石表面因多次处理残留的杂质、缺陷，提高金刚石的纯净度；与单一颜色的彩色钻石相比，渐变粉色单晶金刚石具有更加吸引人的多层次颜色深浅不一的特征，更具观赏性。
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公开(公告)号：CN115310144B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210806262.1
申请日：2022-07-08
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
发明人： 宋学瑞
IPC分类号： G06F21/71 , G06F18/2134 , G06F18/2411 , G01R33/02
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石NV色心的硬件木马检测系统及方法，涉及集成电路硬件安全检测技术领域。本发明包括如下步骤：步骤S1：在光纤和共聚焦两种模式下实现两种不同分辨率的IC表面磁场测量与成像；步骤S2：运用PCA对测量得到的指纹性磁场信息进行降维处理；步骤S3：将处理后得到的指纹性磁场信息与黄金/仿真表面指纹性信息比对，提取异常区域磁场信息；步骤S4：运用支持向量机SVM机器学习方法进行数据处理，实现木马的识别与分类；步骤S5：完成检测。本发明通过获取待检测元件表面指纹性磁场信息，运用降维算法数据进行降维压缩、比对，获取异常数据进行处理并对木马类型进行分类，提升微小型木马的检测和分类效率。
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公开(公告)号：CN117681064B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410156192.9
申请日：2024-02-04
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于紫外光的金刚石快速抛光方法及装置，涉及金刚石抛光技术领域，包括对抛光室内部实施金刚石和抛光液的上料操作，驱动抛光盘运转，对金刚石的表面实施抛光操作，开启供氧单元和紫外发生单元，所述供氧单元对抛光室内部输入氧气，并且将氧气输出至夹具位置，所述紫外发生单元将紫外光源照射在抛光盘表面及其周围。本发明通过紫外发生单元与供氧单元的结合，在抛光过程中可陆续产生氧自由基以及臭氧分子，可以高效地氧化改性晶片。再通过抛光盘和金刚石片之间的机械研磨作用去除氧化改性层，将机械拋光与化学氧化抛光相结合，增强了金刚石基体的氧化速度，提升了去除率和抛光质量。
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公开(公告)号：CN117936339A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311656476.6
申请日：2023-12-05
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石微通道的液态金属X射线源，在金刚石内部构造微通道，并让液态金属在微通道内流动，电子束轰击金刚石微通道内流动的液态金属产生X射线。本发明采用金刚石作为靶材，导热性能好、硬度高，同时对X射线透过性良好；2、利用微通道内流动的液态金属代替传统固态阳极靶，以循环流动的方式快速带走电子束轰击区域的热量，克服了固态阳极靶X射线源出光亮度低的缺陷；金刚石微通道作为透射靶，能够得到高亮度且稳定的X射线源。
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公开(公告)号：CN117681064A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410156192.9
申请日：2024-02-04
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于紫外光的金刚石快速抛光方法及装置，涉及金刚石抛光技术领域，包括对抛光室内部实施金刚石和抛光液的上料操作，驱动抛光盘运转，对金刚石的表面实施抛光操作，开启供氧单元和紫外发生单元，所述供氧单元对抛光室内部输入氧气，并且将氧气输出至夹具位置，所述紫外发生单元将紫外光源照射在抛光盘表面及其周围。本发明通过紫外发生单元与供氧单元的结合，在抛光过程中可陆续产生氧自由基以及臭氧分子，可以高效地氧化改性晶片。再通过抛光盘和金刚石片之间的机械研磨作用去除氧化改性层，将机械拋光与化学氧化抛光相结合，增强了金刚石基体的氧化速度，提升了去除率和抛光质量。
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公开(公告)号：CN115310144A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210806262.1
申请日：2022-07-08
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
发明人： 宋学瑞
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石NV色心的硬件木马检测系统及方法，涉及集成电路硬件安全检测技术领域。本发明包括如下步骤：步骤S1：在光纤和共聚焦两种模式下实现两种不同分辨率的IC表面磁场测量与成像；步骤S2：运用PCA对测量得到的指纹性磁场信息进行降维处理；步骤S3：将处理后得到的指纹性磁场信息与黄金/仿真表面指纹性信息比对，提取异常区域磁场信息；步骤S4：运用支持向量机SVM机器学习方法进行数据处理，实现木马的识别与分类；步骤S5：完成检测。本发明通过获取待检测元件表面指纹性磁场信息，运用降维算法数据进行降维压缩、比对，获取异常数据进行处理并对木马类型进行分类，提升微小型木马的检测和分类效率。
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公开(公告)号：CN114918819A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210750839.1
申请日：2022-06-28
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
发明人： 宋学瑞
摘要： 本发明公开了一种自动化金刚石研磨臂系统与研磨抛光方法，涉及金刚石加工技术领域。本发明包括依次连接的控制模块、运动模块、连接模块和可调向抛光模块；控制模块用于控制运动模块启停、运行模式、速度和行程；运动模块用于接受控制模块指令，与连接模块连接带动可调向抛光模块沿磨盘径向往复运动；连接模块用于连接运动模块与可调向抛光模块；可调向抛光模块用于装载待抛光金刚石抛光，并可直接调节金刚石与磨盘平行度。本发明通过研磨臂系统的方向调节功能，可以直接调节金刚石待磨面与磨盘表面的平行度，实现对金刚石待磨面的均匀研磨，极大降低无效工作时间，提升工作效率。
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公开(公告)号：CN117660942A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311674125.8
申请日：2023-12-07
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/02 , C23C16/27 , C30B29/04
摘要： 本发明公开了一种降低大尺寸金刚石生长过程中表面温差的办法，涉及金刚石薄膜制备技术领域，包括步骤S1：衬底预处理、S2：图形化结构优化衬底支架、S3：形核阶段以及S4：生长阶段。本发明采用经过图形化优化的衬底支架，降低了金刚石在生长过程中的表面温差，提高了生长大尺寸金刚石膜厚均匀性。经过图形化处理后的衬底支架可做到可控引入空气隔热层，有效改善衬底表面温度差过大问题，提升金刚石薄膜生长质量。衬底支架的设计方法简单、易于操作、可靠性高，由于衬底表面温度的改善，使金刚石在衬底边缘的沉积速率有了一定提升，缩小了金刚石薄膜厚度的整体差异性，金刚石薄膜厚度均匀性显著提升，提高了金刚石薄膜有效厚度。
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公开(公告)号：CN115184383A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210814284.2
申请日：2022-07-11
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
发明人： 宋学瑞
IPC分类号： G01N22/00
摘要： 本发明公开了一种三维微波腔体内微波场测量成像装置及方法，涉及微波测量技术领域。本发明包括：NV色心量子探针，NV色心量子探针与光纤耦合；三维压电平台用于对待测元件进行三维扫描；三维压电平台上放置有待测微波腔体；磁铁提供静电场，保证微波腔处磁场方向竖直向上并与NV色心方向平行；待测元件，待测元件两端均开设有窗口，NV色心量子探针穿过窗口置于待测元件内部；待测元件与微波源连接。本发明基于{111}方向的量子探针，只需光纤沿竖直方向，在竖直方向上的磁场直接与NV色心平行，省去了磁场调节和NV色心定向的复杂流程；同时竖直方向的磁场沿窗口进入待测元件，避免了元件壁的磁场屏蔽，提升电磁探针分辨率。
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公开(公告)号：CN115106869A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210729832.1
申请日：2022-06-24
申请人： 合肥先端晶体科技有限责任公司
发明人： 宋学瑞
摘要： 本发明公开了一种薄片金刚石制备装置及其制备方法，涉及金刚石制备技术领域。本发明包括夹持件主体和连接体；夹持件主体上端面开设有矩形凹槽；矩形凹槽用于装载金刚石；矩形凹槽四个拐角处均开设有缓冲槽；连接体顶端固定在夹持件主体的下端面；连接体底端固定有研磨臂。本发明通过本夹持件两面凹槽与金刚石接触，以侧面受力代替四角受力，既保持了研磨过程中的稳定性，提升研磨成功率，也降低了研磨损耗。
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