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公开(公告)号：CN114787701B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202080002011.7
申请日：2020-09-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343
摘要： 一种显示基板、显示面板和显示装置，该显示基板包括：第一衬底基板和位于第一衬底基板上的多条栅线(4)、多条数据线(5)，栅线(4)沿第一方向延伸，数据线(5)沿第二方向延伸；多条栅线(4)和多条数据线(5)限定出多个像素单元，像素单元包括：薄膜晶体管(7)、像素电极(8)和公共电极(9)，至少部分像素单元配置有导电桥线配置有导电桥线(10)的像素单元内，像素电极(8)的第一端部或第二端部的第一侧设置有第一镂空结构(13)，导电桥线(10)的端部位于第一镂空结构(13)内且与公共电极(9)过孔连接，像素电极(8)的第一端部的第二侧设置有第二镂空结构(14)，以使得像素电极(8)与位于两侧且最近的数据线(5)分别所形成的寄生电容的差的绝对值小于或等于预设电容差值。(10)，导电桥线(10)与像素电极(8)同层设置；在
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公开(公告)号：CN116887622A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310746769.7
申请日：2023-06-20
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/123 , H01L27/15 , H01L27/12
摘要： 本发明提出了一种像素结构、显示面板以及显示装置，像素结构包括基板和位于所述基板一侧的第一像素、第一薄膜晶体管和第一栅线，所述第一薄膜晶体管和所述第一像素通过第一连接线连接，所述第一薄膜晶体管与所述第一栅线电连接，所述像素结构还包括：第一补偿结构，所述第一补偿结构分别连接所述第一薄膜晶体管和所述第一像素，所述第一补偿结构的长度方向与所述第一栅线长度的延伸方向一致，且所述第一补偿结构与所述第一栅线同层设置且不连接。由此，第一补偿结构可以增大第一像素的耦合面积，增大第一像素的电容，补偿由于层与层之间对位差异导致的第一像素和栅极的耦合电容的增大，从而去除摇头纹。
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公开(公告)号：CN115953973A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310003621.4
申请日：2023-01-03
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/20 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种阵列基板和显示装置。阵列基板包括显示区和非显示区，所述显示区包括多条数据线和多条栅线，所述栅线和所述数据线交叉设置，所述非显示区包括驱动模组和相邻设置的多条时钟信号线，所述驱动模组包括多级驱动电路，所述多条时钟信号线中的至少部分与所述驱动模组中的驱动电路电连接；所述驱动模组包括与起始电压线电连接的至少一个驱动电路，所述至少一个驱动电路中的至少部分驱动电路的驱动信号输出端与负载结构电连接。本发明能改善显示亮线问题。
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公开(公告)号：CN111624827B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202010598503.9
申请日：2020-06-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1335 , G09G3/36
摘要： 本公开是关于一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示器领域。阵列基板包括：衬底基板，具有显示区域和围绕显示区域的外围区域；多根时钟线，位于衬底基板上且在外围区域内，时钟线沿第一方向延伸；多根时钟引线，位于衬底基板上且在外围区域内，时钟引线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向交叉；多个移位寄存器单元，位于衬底基板上且在外围区域内，移位寄存器单元和时钟线之间通过时钟引线连接；补偿电容极板，位于衬底基板上且在外围区域内，补偿电容极板和时钟引线连接，且补偿电容极板与时钟引线不同层，补偿电容极板的面积和所连的时钟引线的长度负相关。
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公开(公告)号：CN118922776A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380008020.0
申请日：2023-03-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1339 , H01L27/12 , G02F1/1345
摘要： 本公开提供的阵列基板及显示装置，包括衬底基板，该衬底基板包括显示区，显示区包括阵列排布的多个子像素区，同行子像素区的颜色相同，同列中每相邻至少两个子像素区为一像素区，同一像素区内的各子像素区的颜色不同；多条栅线，位于子像素区的行间隙处，一条栅线与一行子像素区耦接；多条数据线，位于子像素区的列间隙处，一条数据线与两列子像素区耦接，同一数据线耦接的相邻行子像素区位于相邻列，至少部分数据线包括用于支撑隔垫物的基台，数据线在基台处加宽；至少一个挡墙，邻近基台设置；在由衬底基板垂直指向数据线所在层的方向上，挡墙远离衬底基板一侧的表面高于数据线远离衬底基板一侧的表面；挡墙至少部分包围基台。
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公开(公告)号：CN118829940A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380007821.5
申请日：2023-02-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362
摘要： 本公开的阵列基板及显示装置，包括具有显示区的衬底基板；在显示区呈阵列排布的像素电极组，像素电极组包括第一、第二像素电极，第一、第二像素电极在行方向和列方向上分别交替设置；贯穿像素电极组间列间隙的数据线，第一像素电极与相邻数据线耦接，第二像素电极与同一像素电极组内第一像素电极耦接的数据线相连；在像素电极组间行间隙处连接第二像素电极与数据线的连接结构；贯穿像素电极组内列间隙的公共电极线，公共电极线与连接结构之间具有第一电容；在像素电极组间行间隙处且与第一像素电极耦接的补偿结构，补偿结构与公共电极线之间具有第二电容，第二电容包括在垂直于衬底基板上相互交叠的三层导电层结构。
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公开(公告)号：CN113946074B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010696740.9
申请日：2020-07-17
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1362
摘要： 提供一种显示面板和显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板。第一基板包括多个隔垫物。第二基板包括：第二衬底；设置在第二衬底上的多条栅线和多条数据线，栅线沿行方向设置，数据线沿列方向设置；和多个子像素，多条栅线和多条数据线包围形成多个子像素，每一个子像素包括透光区。隔垫物在第二衬底上的正投影邻近子像素的透光区在第二衬底上的正投影，隔垫物在第二衬底上的正投影与数据线在第二衬底上的正投影间隔设置；数据线具有主体部和弯折部，弯折部在第二衬底上的正投影相对于主体部在第二衬底上的正投影朝远离隔垫物在第二衬底上的正投影的方向弯折。
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公开(公告)号：CN114578597B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210287788.3
申请日：2022-03-22
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1343
摘要： 本申请实施例提供了一种液晶显示面板及其制备方法、显示装置。在本申请实施例所提供的液晶显示面板中，通过将子像素区划分为相邻的第一区和第二区，且在垂直于阵列基板的方向，第一区对应的阵列基板和彩膜基板的间距，大于第二区对应的阵列基板和彩膜基板的间距，从而使得第一区和第二区处液晶层的厚度不同，进而使得子像素区包括至少一个畴区，能够实现液晶显示面板中各个视角方向的均匀显示。同时，通过设置像素区中所有子像素区的第一区分布于至少两个分区行，能够避免显示画面中出现横纹、竖纹等条纹现象，保障显示效果。
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公开(公告)号：CN117396950A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280000837.9
申请日：2022-04-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 一种显示面板及显示装置，显示面板包括位于非显示区(BB)的虚拟栅线(G2)和虚拟导电部(31)，虚拟导电部(31)在基板的正投影位于虚拟栅线(G2)在基板的正投影内，虚拟导电部(31)与虚拟栅线(G2)形成等效电容，通过设置虚拟栅线(G2)的RC负载与显示区(AA)的栅线(Gl)的RC负载相匹配，并将虚拟栅线(G2)作为显示面板中仅提供复位信号的第二GOA单元(200)的扫描负载，使得第二GOA单元(200)与第一GOA单元(100)具有相匹配的总负载，从而改善显示亮度不均的同题。
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公开(公告)号：CN117396943A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280000494.6
申请日：2022-03-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G09G3/20
摘要： 一种显示基板和显示装置。显示基板包括衬底基板与设置于衬底基板上的驱动电路；驱动电路包括多个降噪晶体管和多个用于驱动的晶体管；降噪晶体管与上拉节点电连接；降噪晶体管中的至少部分晶体管的沟道的长度为第一长度L1；多个用于驱动的晶体管中的至少部分晶体管的沟道的长度为第二长度L2；第一长度L1不等于第二长度L2。
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