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公开(公告)号：CN119107996A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310678305.7
申请日：2023-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: G11C11/419 , G11C11/417 , G11C11/412
Abstract: 提供一种记忆体装置。记忆体装置包含至少一反相器、耦接在此至少一反相器及位元线之间的晶体管以及耦接位元线的辅助电路。辅助电路用以提供负电压至位元线以及用以拉低提供给此至少一反相器的电源供应电压。本揭露的一实施例有助于节省记忆体装置的能耗及面积。
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