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公开(公告)号：CN111129047B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911059813.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种影像感测器包含基板和在该基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。该影像感测器还包含在该基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中该第一尺寸与该第二尺寸不同。该影像感测器还包含在该基板上的第一缓冲层。该影像感测器还包含在该第一缓冲层上的遮罩层，其中该第一缓冲层和该遮罩层定义与该第一光电二极管对准的第一凹陷和与该第二光电二极管对准的第二凹陷。该影像感测器还包含在该第一凹陷中的闪烁减弱层，其中该第二凹陷没有该闪烁减弱层。
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公开(公告)号：CN112992946A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011479301.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/02
Abstract: 一种影像感测件、光学结构及其形成方法，光感元件可形成在半导体基材的前侧。具有第一折射率的光学折射层可形成在半导体基材的背侧。包含开口的栅格结构形成在光学折射层上。遮蔽材料层形成在栅格结构及光学折射层上。利用非等向性蚀刻制程对遮蔽材料层进行非等向性蚀刻，并连带蚀刻光学折射层的材料，以于光学折射层的物理暴露区形成非平面远端表面部分，其中此些非平面远端表面部分包含随机突出部。光学透明层可形成于光学折射层的非平面远端表面部分，且光学透明层具有不同于第一折射率的第二折射率。折射界面将入射光折射至随机方向，且改善光感元件的量子效率。
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公开(公告)号：CN112992946B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011479301.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种影像感测件、光学结构及其形成方法，光感元件可形成在半导体基材的前侧。具有第一折射率的光学折射层可形成在半导体基材的背侧。包含开口的栅格结构形成在光学折射层上。遮蔽材料层形成在栅格结构及光学折射层上。利用非等向性蚀刻制程对遮蔽材料层进行非等向性蚀刻，并连带蚀刻光学折射层的材料，以于光学折射层的物理暴露区形成非平面远端表面部分，其中此些非平面远端表面部分包含随机突出部。光学透明层可形成于光学折射层的非平面远端表面部分，且光学透明层具有不同于第一折射率的第二折射率。折射界面将入射光折射至随机方向，且改善光感元件的量子效率。
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公开(公告)号：CN111129047A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911059813.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种影像感测器包含基板和在该基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。该影像感测器还包含在该基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中该第一尺寸与该第二尺寸不同。该影像感测器还包含在该基板上的第一缓冲层。该影像感测器还包含在该第一缓冲层上的遮罩层，其中该第一缓冲层和该遮罩层定义与该第一光电二极管对准的第一凹陷和与该第二光电二极管对准的第二凹陷。该影像感测器还包含在该第一凹陷中的闪烁减弱层，其中该第二凹陷没有该闪烁减弱层。
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