公开(公告)号：CN111261507B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201911126845.4

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林斌彥

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。

公开(公告)号：CN111261507A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911126845.4

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林斌彥

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。