公开(公告)号：CN117580364A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311336610.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏廷 ,  林佑明 ,  吴尹豪 ,  温伟志 ,  林仲德 ,  向育民 ,  蔡武卫 ,  陈海清

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30 ,  H10B51/40 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法，其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些实施例中，铁电结构包含：第一铁电层；第二铁电层，上覆于第一铁电层；以及第一抑制层，设置于第一铁电层与第二铁电层之间且毗邻第二铁电层。第一抑制层为与第一铁电层及第二铁电层不同的材料。

公开(公告)号：CN221447181U

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202322407317.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈晏谊 ,  林佑明 ,  林仲德 ,  向育民 ,  蔡武卫 ,  陈海清

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构，栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间，其中栅极结构具有不同于第一功函数的第二功函数。