公开(公告)号：CN102531606A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110436126.X

申请日：2011-12-23

Applicant: 台州学院

Inventor： 易剑 ,  谢志鹏 ,  薛伟江

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高强韧碳化硅陶瓷的低温制造方法，包括以下步骤：(一)首先制备具有“壳-核”复合结构的纳米粉体；(二)将所得混合粉体装入模具进行放电等离子烧结(SPS)烧结，步骤如下：(三)烧结的陶瓷片经双面抛光处理，得到高强韧的碳化硅陶瓷。本发明首先成功解决了Al2O3和Y2O3陶瓷粉末作为烧结助剂直接球磨难以按比例混合均匀的问题；其次，解决了SiC陶瓷在较低温度下烧结难以完全致密而在较高温度下烧结晶粒长大的问题；最终制备出Al2O3和Y2O3按比例均匀分散在块体中的SiC纳米陶瓷材料。所制备的SiC陶瓷致密度100％，晶粒尺寸细小，硬度在28±0.5GPa，韧性6±0.3MPa1/2。

公开(公告)号：CN102531606B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110436126.X

申请日：2011-12-23

Applicant: 台州学院

Inventor： 易剑 ,  谢志鹏 ,  薛伟江

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高强韧碳化硅陶瓷的低温制造方法，包括以下步骤：(一)首先制备具有“壳-核”复合结构的纳米粉体；(二)将所得混合粉体装入模具进行放电等离子烧结(SPS)烧结，步骤如下：(三)烧结的陶瓷片经双面抛光处理，得到高强韧的碳化硅陶瓷。本发明首先成功解决了Al2O3和Y2O3陶瓷粉末作为烧结助剂直接球磨难以按比例混合均匀的问题；其次，解决了SiC陶瓷在较低温度下烧结难以完全致密而在较高温度下烧结晶粒长大的问题；最终制备出Al2O3和Y2O3按比例均匀分散在块体中的SiC纳米陶瓷材料。所制备的SiC陶瓷致密度100％，晶粒尺寸细小，硬度在28±0.5GPa，韧性6±0.3MPa1/2。

公开(公告)号：CN102674819B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201210151340.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 台州学院

Inventor： 易剑 ,  薛伟江 ,  谢志鹏 ,  高玉新 ,  程虎 ,  王蕾

IPC: C04B35/117 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高韧性氧化铝陶瓷及其制备方法与应用，采用氢氧化铝为起始原料，烧结助剂Y2O3以Y(NO3)3的形式加入，以预处理的CNTs为增韧剂，并加入分散剂，超声使分散均匀，不断搅拌下滴加弱碱性溶液，以形成添加剂离子的沉淀，使沉淀物以氧化铝颗粒和CNTs为形核中心形成异质形核沉淀；再经过滤、醇洗、烘干，得到纳米混合粉体；经放电等离子烧结、双面抛光处理，得到高韧性氧化铝陶瓷。本发明首先成功解决了CNTs与Al2O3和Y2O3陶瓷粉末作为烧结助剂直接球磨难以按比例混合均匀的问题；其次解决了Al2O3陶瓷在较低温度下烧结难以完全致密而在较高温度下烧结晶粒长大的问题。

公开(公告)号：CN102674819A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210151340.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 台州学院

Inventor： 易剑 ,  薛伟江 ,  谢志鹏 ,  高玉新 ,  程虎 ,  王蕾

IPC: C04B35/117 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高韧性氧化铝陶瓷及其制备方法与应用，采用氢氧化铝为起始原料，烧结助剂Y2O3以Y(NO3)3的形式加入，以预处理的CNTs为增韧剂，并加入分散剂，超声使分散均匀，不断搅拌下滴加弱碱性溶液，以形成添加剂离子的沉淀，使沉淀物以氧化铝颗粒和CNTs为形核中心形成异质形核沉淀；再经过滤、醇洗、烘干，得到纳米混合粉体；经放电等离子烧结、双面抛光处理，得到高韧性氧化铝陶瓷。本发明首先成功解决了CNTs与Al2O3和Y2O3陶瓷粉末作为烧结助剂直接球磨难以按比例混合均匀的问题；其次解决了Al2O3陶瓷在较低温度下烧结难以完全致密而在较高温度下烧结晶粒长大的问题。