公开(公告)号：CN1487334A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03147478.0

申请日：2003-07-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  山口武治 ,  荒川智志 ,  山中信光 ,  粕川秋彦 ,  中琦龟介

IPC: G02F1/015 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34306

Abstract: 包括形成在第一导电型衬底上的DFB激光二极管和EA调制器的EA－DFB模块有一个台式带，一个形成在台式带两侧面上的电流阻挡结构和一个形成在台式带顶部及电流阻挡结构上的第二InP包层。电流阻挡结构包括一个掺Fe的半绝缘膜、一个第一导电型埋层和一个载流子耗尽层。载流子耗尽层减小第一导电型埋层和第二InP包层之间边界处的寄生电容。

公开(公告)号：CN101138074A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007935.6

申请日：2006-05-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  吉田清辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475

Abstract: 本发明涉及一种III－V族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的n型层上形成低接触电阻的电极的III－V族氮化物系化合物半导体装置，特别是GaN系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成的电极的电极材料中至少使用Ti、Al、Si。特别地，通过在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成Ti层，并在Ti层上叠层由Al和Si的混晶相构成的层，能够形成良好的电极。

公开(公告)号：CN1943035B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580010946.5

申请日：2005-05-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  李江 ,  吉田清辉

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III-V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III-V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。

公开(公告)号：CN1943035A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580010946.5

申请日：2005-05-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  李江 ,  吉田清辉

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III－V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III－V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面。