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公开(公告)号：CN103069510A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201280002307.4
申请日：2012-08-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/02 , C23C14/082 , C23C14/083 , C23C14/3442 , C23C14/562 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 一种超导导体用基材2的制造方法，具有：在基板10上形成具有导电性的非取向的基础层24的导电性基础层形成工序和在基础层24上形成双轴取向层26的双轴取向层形成工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103069509A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201280002350.0
申请日：2012-07-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/125 , H01L39/14 , H01L39/24 , H01L39/2461 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜的制造方法，所述超导薄膜用基材的抑制金属元素从基材扩散的效果高且能够提高强制取向层的取向性。超导薄膜用基材(2)具备：含有金属元素的基材(10)；基础层(22)，其形成于该基材(10)的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Mg和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；具有双轴取向性的强制取向层(24)，其形成于该基础层(22)的表面上，并且以含有Mg的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。
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公开(公告)号：CN103069510B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280002307.4
申请日：2012-08-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/02 , C23C14/082 , C23C14/083 , C23C14/3442 , C23C14/562 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 一种超导导体用基材2的制造方法，具有：在基板10上形成具有导电性的非取向的基础层24的导电性基础层形成工序和在基础层24上形成双轴取向层26的双轴取向层形成工序。
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公开(公告)号：CN103026426A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036513.2
申请日：2011-11-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/06 , B82Y30/00 , C01G3/00 , C01G45/1264 , C01P2002/76 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01B13/32 , H01L39/143 , H01L39/24 , H01L39/2461
Abstract: 本发明涉及超导线材及超导线材的制造方法，超导线材的氧化物超导层、中间层侧的氧化物超导层的界面的杂质少。将超导线材的构成设计成具有金属基材10、金属基材10上形成的含有与Ba反应的稀土元素的中间层20、中间层20上形成的主要含有LaMnO3+δ1(δ1是氧的不定比量)的反应抑制层28和反应抑制层28上形成的主要由含有Ba的超导体构成的氧化物超导层30。
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公开(公告)号：CN103026426B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180036513.2
申请日：2011-11-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/06 , B82Y30/00 , C01G3/00 , C01G45/1264 , C01P2002/76 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , H01B13/32 , H01L39/143 , H01L39/24 , H01L39/2461
Abstract: 本发明涉及超导线材及超导线材的制造方法，超导线材的氧化物超导层、中间层侧的氧化物超导层的界面的杂质少。将超导线材的构成设计成具有金属基材(10)、金属基材(10)上形成的含有与Ba反应的稀土元素的中间层(20)、中间层(20)上形成的主要含有LaMnO3+δ1(δ1是氧的不定比量)的反应抑制层(28)和反应抑制层(28)上形成的主要由含有Ba的超导体构成的氧化物超导层(30)。
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公开(公告)号：CN103069507A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201280002322.9
申请日：2012-07-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01B12/02 , H01L39/2454 , H01L39/2461 , Y10T428/12458 , Y10T428/12549
Abstract: 本发明涉及一种超导薄膜(1)，其金属基材和金属氧化物层的密合性得到了提高。超导薄膜(1)具有金属基材(10)、形成在该金属基材(10)的主面上的以可钝化的金属元素为主体的金属层(22)、形成在该金属层(22)上的以钝化了的所述金属元素为主体的金属氧化物层(24)、和直接或隔着中间层形成在该金属氧化物层(24)上的以氧化物超导体为主体的超导层(40)。
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