公开(公告)号：CN105917534A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480070638.0

申请日：2014-12-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 长谷川英明 ,  横内则之 ,  泽村壮嗣 ,  入野聪 ,  吉田顺自

IPC: H01S5/14 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01S5/146 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/094011 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/302 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142 ,  H01S2301/03

Abstract: 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1?R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。

公开(公告)号：CN105917534B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201480070638.0

申请日：2014-12-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 长谷川英明 ,  横内则之 ,  泽村壮嗣 ,  入野聪 ,  吉田顺自

IPC: H01S5/14 ,  G02F1/35

CPC classification number: H01S5/146 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/094011 ,  H01S3/094096 ,  H01S3/302 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142 ,  H01S2301/03

Abstract: 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。