公开(公告)号：CN105390518A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510873363.0

申请日：2015-12-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 廖一寰 ,  林志豪 ,  游镇宇 ,  卓祯福 ,  章钧 ,  卓恩宗

IPC: H01L27/146

CPC classification number: G06K9/0004 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/109 ,  H01L31/165 ,  H01L31/18

Abstract: 一种感光单元，包括第一电极、第一绝缘层、感光结构以及第二电极。第一绝缘层覆盖第一电极且具有暴露出第一电极的开口。感光结构位于第一电极上且填入第一绝缘层的开口。感光结构包括相堆叠的第一感光层及第二感光层。第一感光层的材质为SixGeyOz。第二感光层的材质为SivOw。第二电极覆盖感光结构。此外，包括上述感光单元的光感测装置以及上述感光单元的制造方法也被提出。

公开(公告)号：CN105261640A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510740662.7

申请日：2015-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 卓恩宗 ,  赖朝松 ,  章钧 ,  杨家铭 ,  游镇宇 ,  卓祯福 ,  林志豪 ,  赖颖辉 ,  江明峯 ,  陈嘉新

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/06

Abstract: 一种离子感测场效晶体管，其包括一载子阻陷迭层、一栅极、一通道层、一源极、一漏极以及一感测薄膜。栅极与通道层配置于载子阻陷迭层的二相对侧，源极以及漏极与通道层电性连接。感测薄膜配置于通道层上，且通道层位于载子阻陷迭层与感测薄膜之间。

公开(公告)号：CN105261640B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201510740662.7

申请日：2015-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 卓恩宗 ,  赖朝松 ,  章钧 ,  杨家铭 ,  游镇宇 ,  卓祯福 ,  林志豪 ,  赖颖辉 ,  江明峯 ,  陈嘉新

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06

Abstract: 一种离子感测场效晶体管，其包括一载子阻陷迭层、一栅极、一通道层、一源极、一漏极以及一感测薄膜。栅极与通道层配置于载子阻陷迭层的二相对侧，源极以及漏极与通道层电性连接。感测薄膜配置于通道层上，且通道层位于载子阻陷迭层与感测薄膜之间。

公开(公告)号：CN105390518B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510873363.0

申请日：2015-12-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 廖一寰 ,  林志豪 ,  游镇宇 ,  卓祯福 ,  章钧 ,  卓恩宗

IPC: H01L27/146

CPC classification number: G06K9/0004 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/109 ,  H01L31/165 ,  H01L31/18

Abstract: 一种感光单元，包括第一电极、第一绝缘层、感光结构以及第二电极。第一绝缘层覆盖第一电极且具有暴露出第一电极的开口。感光结构位于第一电极上且填入第一绝缘层的开口。感光结构包括相堆叠的第一感光层及第二感光层。第一感光层的材质为SixGeyOz。第二感光层的材质为SivOw。第二电极覆盖感光结构。此外，包括上述感光单元的光感测装置以及上述感光单元的制造方法也被提出。

公开(公告)号：CN104659143A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510054958.3

申请日：2015-02-03

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 游镇宇 ,  卓祯福 ,  卓恩宗

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种光学传感器及其制造方法。该光学传感器包括：基板；控制元件，包括栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极和漏极电极；以及感光元件，包括下电极、SRO薄膜层和第一透明导电层。下电极藉由第一开口耦接至漏极电极。第一透明导电层藉由第二开口耦接至第二透明导电层。SRO薄膜层的制程步骤早于氧化物半导体层的制程步骤。相比于现有技术，本发明在制程上先形成SRO薄膜层，后形成氧化物半导体层，由于SRO薄膜沉积时所使用的氢气不会影响氧化物半导体层的元件特性，因而控制元件的阈值电压并不会出现负漂移。此外，SRO薄膜受到栅极绝缘层的保护，后续的低温制程也不会影响SRO薄膜的特性。