公开(公告)号：CN119419128A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411661562.0

申请日：2024-11-19

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 杨东晓

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种金银合金凸块结构及制备方法、半导体器件，该制备方法包括：提供半导体器件，半导体器件的表面形成有种子层；通过电镀工艺在所述种子层上形成第一金银合金凸块，形成的第一金银合金凸块中金含量大于45%，且其厚度范围为0.2μm~5μm；采用同一电镀液在第一金银合金凸块上电镀形成第二金银合金凸块，形成的第二金银合金凸块中金含量小于30%，且其厚度范围为3μm~20μm。高金含量的第一金银合金凸块提升金银合金凸块结构底部与半导体器件的种子层的结合力，提高半导体器件的可靠性；低金含量的第二金银合金凸块可以避免金银合金凸块结构表面纯在金瘤，控制金银合金凸块结构的硬度和形貌，保证后续封装。

公开(公告)号：CN119694904A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411769941.1

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 时庆楠 ,  杨东晓

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开实施例提供一种凸块结构及其制备方法、半导体器件，凸块结构制备方法包括：提供表面具有种子层的半导体器件；通过电镀工艺在种子层上形成钯凸块，形成的钯凸块的厚度范围为0.1μm～5μm；在钯凸块上电镀形成金凸块，以形成钯金凸块模组，其中，形成的金凸块的厚度范围为0.05μm～3μm；通过电镀工艺在当前钯金凸块模组上继续堆叠形成至少一个钯金凸块模组。通过该方法形成的凸块结构，降低了单层钯电镀厚度，避免了钯析氢氢脆导致芯片失效的问题，极大的提高了半导体器件的可靠性。相较于现有的金凸块，成本可以下降50％～60％左右，成本下降接近该技术路线的极限。采用同一电镀设备即可实现凸块结构的制备，可实现量产。

公开(公告)号：CN117747426A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311507157.9

申请日：2023-11-13

Applicant: 厦门通富微电子有限公司

Inventor： 杨东晓

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请公开了一种晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，该方法包括：测量晶圆上金属层的第一金属层电阻；在预设时间间隔内蚀刻金属层，测量蚀刻后金属层的第二金属层电阻；基于第一金属层电阻、第二金属层电阻以及预设时间间隔，得到金属层的蚀刻速率。本申请提供的晶圆表面金属层蚀刻速率量测方法，能够提高测量效率，降低生产成本。