公开(公告)号：CN119049970A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411237032.3

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 张弘鹏 ,  张玉珊 ,  王绍冲 ,  郑伟 ,  贺星宇 ,  陈铖颖 ,  张宏怡

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及功率射频分立器件技术领域，特别涉及一种异质结二极管及其制备方法。该方法包括：提供P型衬底；在P型衬底的上表面形成具有刚玉型晶体结构的键合中间层；提供β‑Ga2O3层；对β‑Ga2O3层进行离子注入；将β‑Ga2O3层转印至键合中间层，形成异质集成衬底；在异质集成衬底的上表面形成半导体层；从俯视方向看，异质结二极管为圆形，蚀刻使所述半导体层和异质集成衬底的圆形侧壁向所述异质结二极管的内部倾斜以形成倾斜面，倾斜面的正斜角θ小于70°且大于等于60°；对半导体层进行臭氧钝化处理；在半导体层的上表面形成金属阳极；本发明提供的异质结二极管具有较高的耐压性能/击穿性能，以及较好的器件可靠性。

公开(公告)号：CN119092404A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411234124.6

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 张弘鹏 ,  黄添利 ,  王绍冲 ,  张玉珊 ,  陈铖颖 ,  张宏怡

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及功率射频分立器件技术领域，特别涉及一种SBD器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：提供第一衬底；在所述第一衬底的上表面形成具有刚玉型晶体结构的键合中间层；提供β‑Ga2O3层，所述β‑Ga2O3层具有第一表面和第二表面；对所述β‑Ga2O3层的第二表面进行离子注入；将β‑Ga2O3层转印至所述键合中间层，使所述β‑Ga2O3层的第二表面与所述键合中间层的上表面接触，形成异质集成衬底；在所述异质集成衬底的上表面形成外延层；在所述外延层的上表面形成部分覆盖的场板钝化层，所述场板钝化层由下至上依次包括缓冲层和钝化层，该场板结构可以有效抑制器件电极边缘的强电场。本发明提供实现的SBD器件具有较高的器件性能及可靠性。