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实用新型
一种终端结构及功率半导体器件有权

公开(公告)号：CN212303678U

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202022165873.1

申请日：2020-09-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 周付康 , 高凌云 , 周建蒙 , 李思泷 , 李燕 , 陈译

IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L23/64

Abstract: 本实用新型提供了一种终端结构即及功率半导体器件，包括：衬底；配置在所述衬底第一表面的外延层；设置在所述外延层内的场限环，设置在所述场限环两侧的内部金属层；配置在所述外延层上的电容复合结构层，配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层，覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层，其中，所述外部金属层与内部金属层电连接，所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。解决了在不增加边缘终端区面积的情况下，提高边缘终端区的耐压能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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