公开(公告)号：CN101696942A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910112669.9

申请日：2009-10-16

申请人： 厦门大学

发明人： 康俊勇 ,  陈珊珊 ,  小川智哉

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01J3/28

摘要： 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置，涉及一种太阳能电池交流电致发光测试，测试装置设有交流驱动电路、光学组件、摄像管、光谱仪和计算机。交流驱动电路输出端接太阳能电池阵列；光学组件设有滤波片、透镜组和反射镜，滤波片、透镜组、反射镜和摄像管同一光轴，反射镜的反射光束传至光谱仪接收口，摄像管输出端接计算机。将多结太阳能电池样品置于样品台；用光谱仪测量多结太阳能电池电致发光光谱得各个子结的发光波段；通过滤波片选择测试光谱；选择电池样品的测试范围，得交流电致发光图像；计算机进行数据处理，得太阳能电池及其各子电池器件工艺损伤和晶体材料缺陷信息。

公开(公告)号：CN101621108A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910112318.8

申请日：2009-07-30

申请人： 厦门大学

发明人： 康俊勇 ,  林伟 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  刘达艺 ,  陈珊珊 ,  杨伟煌

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。

公开(公告)号：CN101696942B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200910112669.9

申请日：2009-10-16

申请人： 厦门大学

发明人： 康俊勇 ,  陈珊珊 ,  小川智哉

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01J3/28

摘要： 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置，涉及一种太阳能电池交流电致发光测试，测试装置设有交流驱动电路、光学组件、摄像管、光谱仪和计算机。交流驱动电路输出端接太阳能电池阵列；光学组件设有滤波片、透镜组和反射镜，滤波片、透镜组、反射镜和摄像管同一光轴，反射镜的反射光束传至光谱仪接收口，摄像管输出端接计算机。将多结太阳能电池样品置于样品台；用光谱仪测量多结太阳能电池电致发光光谱得各个子结的发光波段；通过滤波片选择测试光谱；选择电池样品的测试范围，得交流电致发光图像；计算机进行数据处理，得太阳能电池及其各子电池器件工艺损伤和晶体材料缺陷信息。