公开(公告)号：CN117949108A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410139558.1

申请日：2024-02-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孙道恒 ,  邵晨鹤 ,  陈松月 ,  赵福鑫 ,  乐林丰 ,  傅彦璋 ,  李岳胧 ,  张朋 ,  陈沁楠 ,  何功汉

IPC: G01K7/22 ,  G01K7/02 ,  G01K17/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种曲面共形高温薄膜热流‑温度复合传感器及其制备方法，属于薄膜传感器技术领域。该复合传感器由热电堆式热流传感器和热电阻式温度传感器组成，包括合金基底与多膜层复合传感器结构，多膜层复合结构包括NiCrAlY过渡层、Al2O3/HfO2复合绝缘层、ITO/In2O3电极层、HfO2/Al2O3复合保护层、YSZ热阻层。本发明的温度传感器内嵌于热流传感器内部，在较小空间内实现了热流传感与温度传感的一体化集成，可以实现航空发动机或大型燃气轮机热端部件定向局部区域的热流密度和温度的多状态参数原位同时测量。基于磁控溅射技术制备的高温薄膜传感器性能可靠、经济性好、可产业化应用。

公开(公告)号：CN119923183A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510074922.5

申请日：2025-01-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孙道恒 ,  赵福鑫 ,  邵晨鹤 ,  陈松月 ,  陈沁楠 ,  成龙

IPC: H10N10/855 ,  H10N10/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明属于高温薄膜传感器技术领域，具体公开了一种ITO/In2O3薄膜热电偶补偿导线及其制备方法和应用，其中ITO/In2O3薄膜热电偶补偿导线从内到外依次包括聚四氟乙烯基底、氧化物热电薄膜和护套层，所述氧化物热电薄膜共形生长于四氟乙烯基底表面，所述氧化物热电薄膜为ITO薄膜或In2O3薄膜。本发明的ITO/In2O3薄膜热电偶补偿导线有效减少了因参比端温度变化引起的测量误差，填补了现有技术中ITO/In2O3薄膜热电偶参比端无补偿导线的空白，显著提高了温度测量精度；能够在高温环境下稳定工作，温度范围可达到250℃；同时具有轻质、柔性、可弯折的特点，提高了使用的灵活性，能够适应复杂工况下的应用。