公开(公告)号：CN112768924B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202011630124.X

申请日：2020-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 游佰强 ,  施利峰 ,  游京霖 ,  朱建基 ,  许爱睿 ,  李丰安

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/10 ,  H01Q5/25 ,  H01Q5/307 ,  H01Q5/50

Abstract: 渐变多阶矩形密堆积拓频准自补天线，涉及超宽带天线。设低耗高性能电介质双面覆铜基板，覆铜面上表面设两个互为准自补的辐射贴片、阻抗匹配输入微带馈线；覆铜面下表面为金属接地板；金属接地板上刻有凹槽；下方馈入的阻抗匹配微带馈线的另一端与左侧辐射贴片第一层基本单元相连；左侧辐射贴片右上角有一个矩形缺口；左侧辐射贴片由一系列密堆积带尺度控制比的矩形基本单元由下而上逐阶垒叠延伸形成；矩形密堆积的模式由下而上垒叠而成，按上阶比下阶多一个基本单元递归组合而成；右侧辐射贴片是左侧辐射贴片对偶的准自补结构；右侧覆铜部分和左侧相反；左侧辐射贴片各层带尺度控制比的矩形基本单元边长按一定比率渐变。提高天线有效辐射面积。

公开(公告)号：CN112768924A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011630124.X

申请日：2020-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 游佰强 ,  施利峰 ,  游京霖 ,  朱建基 ,  许爱睿 ,  李丰安

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/10 ,  H01Q5/25 ,  H01Q5/307 ,  H01Q5/50

Abstract: 渐变多阶矩形密堆积拓频准自补天线，涉及超宽带天线。设低耗高性能电介质双面覆铜基板，覆铜面上表面设两个互为准自补的辐射贴片、阻抗匹配输入微带馈线；覆铜面下表面为金属接地板；金属接地板上刻有凹槽；下方馈入的阻抗匹配微带馈线的另一端与左侧辐射贴片第一层基本单元相连；左侧辐射贴片右上角有一个矩形缺口；左侧辐射贴片由一系列密堆积带尺度控制比的矩形基本单元由下而上逐阶垒叠延伸形成；矩形密堆积的模式由下而上垒叠而成，按上阶比下阶多一个基本单元递归组合而成；右侧辐射贴片是左侧辐射贴片对偶的准自补结构；右侧覆铜部分和左侧相反；左侧辐射贴片各层带尺度控制比的矩形基本单元边长按一定比率渐变。提高天线有效辐射面积。