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公开(公告)号：CN112768924B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011630124.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 渐变多阶矩形密堆积拓频准自补天线，涉及超宽带天线。设低耗高性能电介质双面覆铜基板，覆铜面上表面设两个互为准自补的辐射贴片、阻抗匹配输入微带馈线；覆铜面下表面为金属接地板；金属接地板上刻有凹槽；下方馈入的阻抗匹配微带馈线的另一端与左侧辐射贴片第一层基本单元相连；左侧辐射贴片右上角有一个矩形缺口；左侧辐射贴片由一系列密堆积带尺度控制比的矩形基本单元由下而上逐阶垒叠延伸形成；矩形密堆积的模式由下而上垒叠而成，按上阶比下阶多一个基本单元递归组合而成；右侧辐射贴片是左侧辐射贴片对偶的准自补结构；右侧覆铜部分和左侧相反；左侧辐射贴片各层带尺度控制比的矩形基本单元边长按一定比率渐变。提高天线有效辐射面积。
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公开(公告)号：CN112768924A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011630124.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 渐变多阶矩形密堆积拓频准自补天线，涉及超宽带天线。设低耗高性能电介质双面覆铜基板，覆铜面上表面设两个互为准自补的辐射贴片、阻抗匹配输入微带馈线；覆铜面下表面为金属接地板；金属接地板上刻有凹槽；下方馈入的阻抗匹配微带馈线的另一端与左侧辐射贴片第一层基本单元相连；左侧辐射贴片右上角有一个矩形缺口；左侧辐射贴片由一系列密堆积带尺度控制比的矩形基本单元由下而上逐阶垒叠延伸形成；矩形密堆积的模式由下而上垒叠而成，按上阶比下阶多一个基本单元递归组合而成；右侧辐射贴片是左侧辐射贴片对偶的准自补结构；右侧覆铜部分和左侧相反；左侧辐射贴片各层带尺度控制比的矩形基本单元边长按一定比率渐变。提高天线有效辐射面积。
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公开(公告)号：CN112467392A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011285385.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 中心对称类Π形单边多频左手材料，涉及左手材料。设有单面覆有金属良导体层的介质基板，金属良导体层刻蚀有以基板中心上下左右对称布置的4个类“Π”结构贴片单元；左上类“Π”结构贴片子单元以Π为中心，Π形的左边部分为宽边开放的C1环，Π形的右边部分为长边开放的C2环背向交错衔接而成：左边的C1环与右边的C2环之间设有间隔E3，相邻类“Π”结构贴片子单元之间设有微小缝隙，微小缝隙用于构成磁谐振回路和电谐振回路从而产生等效的负磁导率和等效的负介电常数。每个类“Π”结构的大小矩形环都能构成谐振环，各个谐振环的外纵向枝节电流方向相同，相互叠加，能够激发高频左手频段，实现多频段左手特性。
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公开(公告)号：CN112467392B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011285385.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 中心对称类Π形单边多频左手材料，涉及左手材料。设有单面覆有金属良导体层的介质基板，金属良导体层刻蚀有以基板中心上下左右对称布置的4个类“Π”结构贴片单元；左上类“Π”结构贴片子单元以Π为中心，Π形的左边部分为宽边开放的C1环，Π形的右边部分为长边开放的C2环背向交错衔接而成：左边的C1环与右边的C2环之间设有间隔E3，相邻类“Π”结构贴片子单元之间设有微小缝隙，微小缝隙用于构成磁谐振回路和电谐振回路从而产生等效的负磁导率和等效的负介电常数。每个类“Π”结构的大小矩形环都能构成谐振环，各个谐振环的外纵向枝节电流方向相同，相互叠加，能够激发高频左手频段，实现多频段左手特性。
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