一种铜材料抗氧化的电化学处理方法

    公开(公告)号:CN109161946A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201810940364.6

    申请日:2018-08-17

    申请人: 厦门大学

    IPC分类号: C25D9/02

    摘要: 本发明属于材料表面处理领域,具体公开了一种铜材料抗氧化的电化学处理方法,该方法包括将铜材料作为工作电极,在含有稳定剂的电解质中依次进行电化学重构和电化学沉积,所述稳定剂为能够提供甲酸根的化合物,以使得所述铜材料的表面吸附有甲酸根。本发明采用电化学的方法让甲酸根镀在铜材料表面,从而增强了铜材料的抗氧化能力,操作简单、条件简单、成本低,极具工业应用前景。

    一种含铜材料的表面处理方法

    公开(公告)号:CN107460464A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201710751393.3

    申请日:2017-08-28

    申请人: 厦门大学

    摘要: 一种含铜材料的表面处理方法,涉及铜材料的抗氧化表面处理。提供采用方法简便,在铜材料的表面修饰或吸附甲酸根,增强铜材料的抗氧化能力,同时使其具有较好导电性的一种含铜材料的表面处理方法。将含铜材料与极性溶剂混合,加入稳定剂和助剂后,密封加压反应,再经液固分离、洗涤、干燥,即完成铜材料的抗氧化表面处理。采用甲酸根处理铜表面,甲酸根氧化还原电位比铜低,甲酸根氧化动力学缓慢,能够有效防止铜的化学或者电化学腐蚀。适用于所有零价或表面部分氧化的含铜材料。处理的含铜材料相比处理前具有较强的抗氧化能力、耐盐碱腐蚀性和较高的导电性,可用于铜基导电浆料等。

    一种氧化石墨烯复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105016315A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510385492.5

    申请日:2015-06-30

    申请人: 厦门大学

    发明人: 翁建 彭健

    摘要: 一种氧化石墨烯复合材料的制备方法,涉及复合材料。将MA粉末加入GO水溶液中,混合液超声后得到含有MA/GO的分散液,M为过渡金属或铋,A为氧族元素,MA为M的硫化物或M的硒化物;GO代表氧化石墨烯;MA/GO代表MA与GO的复合材料;将所得分散液的上层液低速离心,上清液高速离心,沉淀物清洗后分散在水中,得到MA/GO水溶液;或将所得分散液的上层液以2000~13000rpm进行分步离心,得到不同尺寸的MA/GO。所得的氧化石墨烯复合材料结构可调,分散液在水溶液中具有很好的稳定性,可在溶液体系中应用。可制备不同尺寸、厚度和结构的复合材料,而且该复合材料在pH3~9具有较好的分散性。

    一种少数层硒化铋纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN103979505A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410208150.1

    申请日:2014-05-16

    申请人: 厦门大学

    IPC分类号: C01B19/04 B82Y40/00

    摘要: 一种少数层硒化铋纳米片的制备方法,涉及硒化铋体材料。将硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸装入反应釜中进行水热合成反应,得到的混合液离心,去除上清液,再分别用超纯水和无水乙醇洗涤,干燥后得Bi2Se3粉末;将得到的Bi2Se3粉末加入到N-甲基吡咯烷酮溶剂或溶有壳聚糖的醋酸溶液中,超声后,得少数层Bi2Se3纳米片的分散液,再静置,取其上层三分之二的部分放到离心机中低速离心,收集离心所得的上层液,再将所得的上层液放到离心机中高速离心,去掉上清部分,将所得的下层物质用NMP或醋酸溶液进行重分散,最终得到分散在溶液里的少数层硒化铋纳米片。制备方法简便、快捷。

    一种抗氧化黑磷纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN111483988B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010305400.9

    申请日:2020-04-17

    申请人: 厦门大学

    发明人: 翁建 陈园园 彭健

    IPC分类号: C01B25/00 B82Y30/00

    摘要: 一种抗氧化黑磷纳米片的制备方法,属于二维层状材料领域。包括以下步骤:将黑磷纳米片加入有机溶剂中,制备黑磷纳米片的有机溶剂分散液,同时配制烷基胺的卤代烷烃修饰溶液作为表面修饰剂;混合黑磷纳米片分散液与表面修饰剂得到混合物;将混合物置于惰性气氛加热的密封体系中回流反应;混合液冷却后经液固分离,洗涤,干燥,即得所述抗氧化黑磷纳米片。采用二烷烃基甲胺通过P‑C‑N键接枝在黑磷纳米片表面,其中P与亚甲基直接相连,二烷基胺暴露在外侧,烷基胺氧化动力学缓慢,能够有效防止黑磷纳米片的氧化。同时,二烷烃基甲胺相比现有的芳香叠氮化学物价格低廉,环境友好。适用于场效应晶体管、光电探测器等领域。

    一种铜纳米颗粒的制备方法以及铜纳米颗粒

    公开(公告)号:CN110586954A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910838095.7

    申请日:2019-09-05

    申请人: 厦门大学

    摘要: 本发明公开了一种制备铜纳米颗粒的方法,包括:配制磷溶液;配制铜离子水溶液;混合所述磷溶液与所述铜离子水溶液,得混合物;令所述混合物反应;分离所述经反应的混合物中的固体;以及洗涤干燥所述固体,即得铜纳米颗粒。本发明的制备铜纳米颗粒的方法,反应温度低,反应时间短,且不需要保护气体或真空环境,简便易行。本发明的制备铜纳米颗粒的方法可以合成平均粒径极小的铜纳米颗粒。

    基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器

    公开(公告)号:CN103972773A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410210066.3

    申请日:2014-05-16

    申请人: 厦门大学

    IPC分类号: H01S3/067 H01S3/11

    摘要: 基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器,涉及光纤激光器。设有泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi2Se3纳米片可饱和吸收体;所述波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi2Se3纳米片可饱和吸收体构成环形腔,泵浦源连接波分复用器的泵浦源输入端;波分复用器公共端连接掺铒光纤一端,掺铒光纤另一端连接耦合器,耦合器一端作为脉冲激光输出端,耦合器另一端连接隔离器输入端,隔离器输出端连接偏振控制器,偏振控制器与Bi2Se3纳米片可饱和吸收体相连,Bi2Se3纳米片可饱和吸收体作为激光被动调Q装置,Bi2Se3纳米片可饱和吸收体与波分复用器连接。

    一种铜材料抗氧化的电化学处理方法

    公开(公告)号:CN109161946B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201810940364.6

    申请日:2018-08-17

    申请人: 厦门大学

    IPC分类号: C25D9/02

    摘要: 本发明属于材料表面处理领域,具体公开了一种铜材料抗氧化的电化学处理方法,该方法包括将铜材料作为工作电极,在含有稳定剂的电解质中依次进行电化学重构和电化学沉积,所述稳定剂为能够提供甲酸根的化合物,以使得所述铜材料的表面吸附有甲酸根。本发明采用电化学的方法让甲酸根镀在铜材料表面,从而增强了铜材料的抗氧化能力,操作简单、条件简单、成本低,极具工业应用前景。

    一种耐腐蚀的铜合金表面处理方法

    公开(公告)号:CN107475700B

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201710750568.9

    申请日:2017-08-28

    申请人: 厦门大学

    摘要: 一种耐腐蚀的铜合金表面处理方法,涉及金属防腐蚀材料。提供将铜合金表面进行耐腐蚀处理后,可显著提高铜合金的耐腐蚀性,尤其是耐盐碱能力的一种耐腐蚀的铜合金表面处理方法。铜合金表面清洗;铜合金耐腐蚀处理;将耐腐蚀处理后的铜合金材料用溶剂清洗,干燥,得耐腐蚀的铜合金。甲酸根对铜合金有很好的保护作用,有效抑制铜合金基体的腐蚀,延长使用寿命,降低腐蚀带来的风险,环境友好。与未修饰的铜合金相比,经甲酸根修饰后的铜合金本身的光泽得到保持。具有稳定性好,可靠性高和美观的优点。制备工艺简单,市场竞争力强,适合规模化生产,易于产业化。

    一种抗氧化的铜纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN107470609B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201710752263.1

    申请日:2017-08-28

    申请人: 厦门大学

    摘要: 一种抗氧化的铜纳米线的制备方法,涉及金属纳米线的制备方法。提供简单便宜,在铜纳米线的表面修饰或吸附甲酸根,增强铜纳米线的稳定性,同时不降低其导电性的一种抗氧化的铜纳米线的制备方法。将铜纳米线加入分散剂中,再加入极性有机溶剂和/或水,混合得到铜纳米线分散液;将抗氧化剂加入得到的铜纳米线分散液中混合,得到混合液;将混合液置于加压加热的密封体系中反应;混合液冷却后经液固分离,洗涤后得抗氧化表面处理的铜纳米线,即为抗氧化的铜纳米线。