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发明公开
自旋场效应晶体管及其制备方法、异质结的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116565013A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310227566.7

申请日：2023-03-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李煦 , 吴启鹏 , 吴雅苹 , 吴志明 , 康俊勇

IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/34

Abstract: 本发明提供了自旋场效应晶体管及其制备方法，晶体管的沟道材料使用由二维过渡金属硫族化合物与低自旋轨道耦合(SOC)的半导体材料构成的II型半导体异质结。晶体管的源极采用非磁性金属形成欧姆接触，漏极采用铁磁金属/超薄介质材料构成磁性隧穿电极，而栅极采用包含非磁金属/栅绝缘层的金属‑氧化物‑半导体结构。通过圆偏振光照射半导体沟道，在TMDC导带中产生高自旋极化率的电子，并通过异质结界面迁移到低SOC半导体层中。在自旋输运过程中，自旋极化方向受到栅极电压的调制，并通过漏极检测自旋方向，使器件呈现不同的电阻状态。本发明还提供了上述异质结的制备方法。

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