公开(公告)号：CN119566568A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411906800.X

申请日：2024-12-23

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘祥福 ,  洪明辉

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种基于加热辅助激光加工的晶圆切片方法及晶圆，应用于半导体晶圆加工技术领域，包括：将晶圆加热至预设温度；预设温度小于晶圆的熔化温度；将激光聚焦在处于预设温度的晶圆的预设深度处，使晶圆在预设深度处形成激光照射区以及位于激光照射区外侧的裂纹扩展区；移动激光在处于预设温度的晶圆预设深度的聚焦位置，使相邻激光照射区外侧的裂纹扩展区相连形成主裂纹，分离晶圆。由于激光和外部加热共同作用可以产生均匀的热应力拉伸微裂纹尖端，使纳米裂纹生长时更加的平滑，进而可以具有更低的切缝损耗，提高切面的表面质量。通过预先对晶圆进行加热，可以使得晶圆内热应力分布的更加均匀，减少激光照射时由于热应力集中导致的晶圆破碎。

公开(公告)号：CN118268734A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410404634.7

申请日：2024-04-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘祥福 ,  洪明辉

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/082 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种低损耗全激光加工的晶圆切片方法及晶圆，应用于半导体晶圆加工技术领域，包括：将第一激光聚焦在晶圆的预设深度处进行加热，后使熔融的晶圆区域冷却，使晶圆的预设深度处形成非晶态的非晶区域；使用第二激光对非晶区域进行加热，以从预设深度处分离晶圆；第二激光的能量密度高于非晶区域的烧蚀阈值，低于晶圆中除非晶区域之外的晶态区域的烧蚀阈值。使用第一激光对晶圆进行加热熔融，后经过冷却可以在非晶区域及四周产生微裂纹，而激光诱导的热应力会拉伸微裂纹尖端，在晶圆硅内部形成周期性微裂纹。之后以第二激光针对性的对非晶区域进行加热，在这个过程中微裂纹会扩展连接形成主裂纹层，使晶圆完全裂开，实现晶圆的分离。

公开(公告)号：CN114629376A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210232159.0

申请日：2022-03-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 关明杰 ,  陈俊 ,  刘祥福 ,  王衡阳 ,  王盛 ,  李钷

IPC: H02N2/18 ,  B60C23/02

Abstract: 本发明涉及新能源发电技术领域，公开了一种可远离旋转中心安装的新型旋转式压电俘能器，包括旋转体、环型质量块和压电组件，旋转体的圆周外侧面上设有安装凹槽，安装凹槽内固定有压电梁底座，环型质量块套设在旋转体外侧，环型质量块的质心与旋转体的旋转中心在无重力的状态下重合，环型质量块与旋转体之间具有间隙，压电组件包括压电悬臂梁和压电片，压电悬臂梁位于环型质量块外侧面，压电片固定在压电悬臂梁上，本发明通过环型质量块的设置可使压电组件和系统环型质量块远离旋转中心安装，而工作时俘能器的质量中心依然位于旋转中心，环型质量块带动压电悬臂梁进行振动，控制了压电悬臂梁的振动范围，提高压电片的输出功率。

公开(公告)号：CN114629376B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202210232159.0

申请日：2022-03-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 关明杰 ,  陈俊 ,  刘祥福 ,  王衡阳 ,  王盛 ,  李钷

IPC: H02N2/18 ,  B60C23/02

Abstract: 本发明涉及新能源发电技术领域，公开了一种可远离旋转中心安装的新型旋转式压电俘能器，包括旋转体、环型质量块和压电组件，旋转体的圆周外侧面上设有安装凹槽，安装凹槽内固定有压电梁底座，环型质量块套设在旋转体外侧，环型质量块的质心与旋转体的旋转中心在无重力的状态下重合，环型质量块与旋转体之间具有间隙，压电组件包括压电悬臂梁和压电片，压电悬臂梁位于环型质量块外侧面，压电片固定在压电悬臂梁上，本发明通过环型质量块的设置可使压电组件和系统环型质量块远离旋转中心安装，而工作时俘能器的质量中心依然位于旋转中心，环型质量块带动压电悬臂梁进行振动，控制了压电悬臂梁的振动范围，提高压电片的输出功率。

公开(公告)号：CN115933327A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211584595.0

申请日：2022-12-09

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 周锐 ,  刘祥福 ,  高娜 ,  严星 ,  王振忠 ,  洪明辉

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及半导体微纳器件加工制造技术领域，本发明提供一种对准套刻装置，其包括转台、位移装置、对准图案采集系统和对准图案分析系统，转台上放置有样片，位移装置连接转台的底部用于将转台位移至指定位置，对准图案采集系统对准转台，用于获取样片的图像，样片的图像至少包括阵列结构轮廓，对准图案分析系统耦接对准图案采集系统，用于将获得的阵列结构轮廓与预设标准图案进行比对，以判断样片是否对准，当判断样片处于未对准状态时，转台进行转动调节，直至样片处于对准状态。借此，无需在掩膜版和样片上加工多个标记来进行对准，便可以实现整个样片的图像对准，省去多个高精度相机反复调整寻找对准标记的繁杂步骤，使对准套刻工艺更高效。