公开(公告)号：CN112613177A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011552045.1

申请日：2020-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘娜 ,  刘学翰 ,  陈希 ,  蔡国雄 ,  叶龙芳 ,  柳清伙

IPC: G06F30/20

Abstract: 基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真技术，属于超表面设计领域。1)建立模型：选定二维计算区域、介质材料参数以及入射光束，确定超表面的磁化率参数；2)将计算区域用四边形网格单元剖分，并记录计算区域中每个单元的信息；3)建立二维计算区域SEM‑GSTCs矩阵方程，求解每个结点的场值；4)绘制磁场强度分布图；5)通过重新调整材料合成磁化率的方式，进而改进材料的磁化率张量结构，利用更新后的磁化率张量，重复步骤3)～4)，直至获得指定的功能，结束迭代，输出超表面的磁化率张量，并根据磁化率进行下一步超表面的物理结构设计。可极大地节省CPU计算时间和内存，提高超表面设计仿真的效率。

公开(公告)号：CN112613177B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011552045.1

申请日：2020-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘娜 ,  刘学翰 ,  陈希 ,  蔡国雄 ,  叶龙芳 ,  柳清伙

IPC: G06F30/20

Abstract: 基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真方法，属于超表面设计领域。1)建立模型：选定二维计算区域、介质材料参数以及入射光束，确定超表面的磁化率参数；2)将计算区域用四边形网格单元剖分，并记录计算区域中每个单元的信息；3)建立二维计算区域SEM‑GSTCs矩阵方程，求解每个结点的场值；4)绘制磁场强度分布图；5)通过重新调整材料合成磁化率的方式，进而改进材料的磁化率张量结构，利用更新后的磁化率张量，重复步骤3)～4)，直至获得指定的功能，结束迭代，输出超表面的磁化率张量，并根据磁化率进行下一步超表面的物理结构设计。可极大地节省CPU计算时间和内存，提高超表面设计仿真的效率。