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公开(公告)号：CN113106531A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110437505.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号：CN110201662A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910379879.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J23/42 , B01J23/46 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种碳载单原子金属催化剂的电化学制备方法，其包括如下三个步骤：采用电化学循环伏安法在工作液中交替地氧化还原碳材料电极；将碳电极浸入含有金属离子的溶液中后取出洗净；在另一电解液中电化学还原吸附在碳电极上的金属离子，即可。本方法可在温和条件下制备出性能优异的碳载单原子金属催化剂。
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公开(公告)号：CN113106531B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110437505.4
申请日：2021-04-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
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公开(公告)号：CN110201662B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910379879.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J23/42 , B01J23/46 , B01J23/755
Abstract: 本发明公开了一种碳载单原子金属催化剂的电化学制备方法，其包括如下三个步骤：采用电化学循环伏安法在工作液中交替地氧化还原碳材料电极；将碳电极浸入含有金属离子的溶液中后取出洗净；在另一电解液中电化学还原吸附在碳电极上的金属离子，即可。本方法可在温和条件下制备出性能优异的碳载单原子金属催化剂。
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