梯度内建电场调控肖特基结日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118352423A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410593828.6

    申请日:2024-05-14

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种梯度内建电场调控肖特基结日盲紫外探测器及其制备方法,涉及宽禁带半导体紫外光电探测器领域。本发明的探测器结构由下至上依次包括:欧姆接触电极、氧化镓衬底、梯度掺杂内建电场层、超薄肖特基透明电极层、环形电极和绝缘氧化物钝化封装层;其中所述氧化镓衬底是非故意掺杂氧化镓单晶衬底或Sn掺杂氧化镓导电衬底,梯度掺杂内建电场层通过氧化镓衬底的同质材料在纯氧气氛中退火形成。本发明利用在退火工艺中氧离子扩散(或镓空位补偿)梯度,在氧化镓肖特基结区形成梯度内建电场从而增强耗尽层区域厚度和表面势垒的高度,实现探测器对光生载流子的高效分离和快速收集,具有探测灵敏度高、响应速度快、自供电的优异性能。

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