公开(公告)号：CN119421482A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411589648.7

申请日：2024-11-08

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邢志恒 ,  杨少鑫 ,  张智鑫 ,  卓祥景 ,  林忠宝

IPC: H10D84/82 ,  H10D84/08 ,  H10D30/47 ,  H10D62/82

Abstract: 本发明提供了一种集成氮化镓及氧化镓功率芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。集成氮化镓及氧化镓功率芯片中外延结构是将GaN层和Ga2O3层集成外延在同一衬底上，采用在GaN层上外延Ga2O3层的方法降低异质外延晶格失配，提升晶体质量。外延结构在第一区域上形成第一功能组件，以及在第二区域上形成第二功能组件，第一区域的表面为势垒层背离衬底一侧的表面，第二区域的表面为Ga2O3层背离衬底一侧的表面，实现将Ga2O3功率芯片和GaN功率芯片集成设置在同一衬底上的目的，减少引线互联和键合等工艺，可以进一步缩小宽禁带半导体功率系统的体积，避免分立芯片集成时引入寄生损耗、响应延迟和噪声等问题。

公开(公告)号：CN118156383A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410289295.2

申请日：2024-03-14

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 史成丹 ,  王莎莎 ,  杨少鑫 ,  张智鑫 ,  卓祥景

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括设置于衬底一侧的外延叠层，外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区及P型半导体层，在N型半导体层背离衬底的一侧表面设置有位错再生层，用于湮灭由衬底向位错再生层延伸的第一穿透位错，并重新生成均匀分布的第二穿透位错；且位错再生层和有源区之间设有静电荷收集层，各第二穿透位错的顶部延伸至静电荷收集层作为V型凹坑的尖端起始点诱发形成均匀分布的V型凹坑以构成漏电通道，然后通过静电荷收集层将N型半导体层一侧的静电荷收集，并利用漏电通道将P型半导体层一侧的静电荷均匀的输送到静电荷收集层进行中和，可提高LED芯片的抗静电能力。