半导体装置、发光装置和电子设备

    公开(公告)号:CN102208411A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110081419.0

    申请日:2011-03-31

    CPC classification number: H01L27/3262 G09G3/3233 G09G2300/0842 H01L27/124

    Abstract: 本发明涉及半导体装置、发光装置和电子设备。半导体装置具有在基板上设置的第一晶体管和第二晶体管,上述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极沿第一方向配置,上述第二晶体管的第二源电极和第二漏电极沿上述第一方向并按与上述第一源电极和上述第一漏电极相反的顺序配置。上述第一源电极和上述第二源电极通过源极连接布线连接,上述第一漏电极和上述第二漏电极通过漏极连接布线连接,上述第一栅电极和上述第二栅电极通过栅极连接布线连接,上述源极连接布线和上述漏极连接布线设置在除了与上述第一栅电极、上述第二栅电极以及上述栅极连接布线重叠的区域之外的区域。

    加热电阻器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1201933C

    公开(公告)日:2005-05-18

    申请号:CN00800849.3

    申请日:2000-05-09

    Abstract: 本发明涉及一种非金属材料制成的加热电阻器,该电阻在施加电流时能够发出热能,其包括至少钽(Ta)、硅(Si)、氧(O)和氮(N)作为组成元素。当满足条件Si/Ta的mol比为0.35<Si/Ta<0.80、氧的mol%为25mol%-45mol%、氮的mol%是5mol%-25mol%时,该加热电阻器具有等于或者大于4mΩcm的电阻率,X射线衍射强度的峰值角等于或者小于37.5度,而且可耐受100,000,000次脉冲。具有上述特征的加热电阻器适用于热敏喷墨打印机的打印头中。另外,该加热电阻器在退火后,具有稳定且高的电阻率。

    半导体装置、发光装置和电子设备

    公开(公告)号:CN102208411B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201110081419.0

    申请日:2011-03-31

    CPC classification number: H01L27/3262 G09G3/3233 G09G2300/0842 H01L27/124

    Abstract: 本发明涉及半导体装置、发光装置和电子设备。半导体装置具有在基板上设置的第一晶体管和第二晶体管,上述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极沿第一方向配置,上述第二晶体管的第二源电极和第二漏电极沿上述第一方向并按与上述第一源电极和上述第一漏电极相反的顺序配置。上述第一源电极和上述第二源电极通过源极连接布线连接,上述第一漏电极和上述第二漏电极通过漏极连接布线连接,上述第一栅电极和上述第二栅电极通过栅极连接布线连接,上述源极连接布线和上述漏极连接布线设置在除了与上述第一栅电极、上述第二栅电极以及上述栅极连接布线重叠的区域之外的区域。

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